[發明專利]基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放方法及系統在審
| 申請號： | 202111364484.4 | 申請日： | 2021-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN114121765A | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 谷國迎;閆沛楠;鄒江 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海段和段律師事務所 31334 | 代理人： | 梁勤偉 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 可編程 輸入 電壓 靜電 吸附 快速 釋放 方法 系統 | ||
1.一種基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：獲取靜電吸附設備的靜電吸附電壓，向靜電吸附設備施加與靜電吸附電壓極性相反的電壓，抵消靜電吸附設備的殘余電荷；
步驟S2：向靜電吸附設備重復加載電壓抵消靜電吸附設備上新生殘余電荷。
2.根據權利要求1所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放方法，其特征在于：所述加載的電壓幅值隨時間而改變，幅值變化方式通過編程進行控制。
3.根據權利要求2所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放方法，其特征在于：所述加載的電壓波形包括正弦波、三角波和方波，輸出的波形通過編程進行控制。
4.根據權利要求2所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放方法，其特征在于：向靜電吸附設備施加的電壓初始幅值在靜電吸附設備的工作電壓范圍內，且施加的電壓幅值不變或幅值呈衰減的趨勢。
5.根據權利要求1所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放方法，其特征在于：向靜電吸附設備施加的電壓波形時長通過編程進行控制。
6.一種基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放系統，其特征在于，包括以下模塊：
模塊M1：獲取靜電吸附設備的靜電吸附電壓，向靜電吸附設備施加與靜電吸附電壓極性相反的電壓，抵消靜電吸附設備的殘余電荷；
模塊M2：向靜電吸附設備重復加載電壓抵消靜電吸附設備上新生殘余電荷。
7.根據權利要求6所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放系統，其特征在于：所述加載的電壓幅值隨時間而改變，幅值變化方式通過編程進行控制。
8.根據權利要求7所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放系統，其特征在于：所述加載的電壓波形包括正弦波、三角波和方波，輸出的波形通過編程進行控制。
9.根據權利要求7所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放系統，其特征在于：向靜電吸附設備施加的電壓初始幅值在靜電吸附設備的工作電壓范圍內，且施加的電壓幅值不變或幅值呈衰減的趨勢。
10.根據權利要求6所述的基于可編程輸入電壓的靜電吸附快速釋放系統，其特征在于：向靜電吸附設備施加的電壓波形時長通過編程進行控制。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
