[發(fā)明專利]電極及其制備方法、發(fā)光器件、顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111363997.3 | 申請日: | 2021-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN114068845A | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 全威 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電極 及其 制備 方法 發(fā)光 器件 顯示 面板 | ||
1.一種電極,其特征在于,包括:
至少一層第一透明導(dǎo)電膜層;
至少一層第二透明導(dǎo)電膜層,所述第二透明導(dǎo)電膜層與所述第一透明導(dǎo)電膜層的材質(zhì)相同,所述第二透明導(dǎo)電膜層的折射率小于所述第一透明導(dǎo)電膜層的折射率;
所述第一透明導(dǎo)電膜層與所述第二透明導(dǎo)電膜層交替疊設(shè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,所述電極的出光面為光散射面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極,其特征在于,所述光散射面的微觀結(jié)構(gòu)為凹凸不平的起伏結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,所述第一透明導(dǎo)電膜層的折射率大于2,所述第二透明導(dǎo)電膜層的折射率小于1.8。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,所述第一透明導(dǎo)電膜層和所述第二透明導(dǎo)電膜層均為氧化銦鋅薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,所述第一透明導(dǎo)電膜層和第二透明導(dǎo)電膜層的層數(shù)相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,所述第一透明導(dǎo)電膜層的厚度和所述第二透明導(dǎo)電膜層的厚度均大于10納米小于50納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,所述電極為陰極。
9.一種電極的制備方法,其特征在于,包括:
形成至少一層第一透明導(dǎo)電膜層;
形成至少一層第二透明導(dǎo)電膜層,所述第二透明導(dǎo)電膜層與所述第一透明導(dǎo)電膜層的材質(zhì)相同,所述第二透明導(dǎo)電膜層的折射率小于所述第一透明導(dǎo)電膜層的折射率;
所述第一透明導(dǎo)電膜層和第二透明導(dǎo)電膜層交替疊設(shè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電極的制備方法,其特征在于,所述方法還包括:利用等離子體轟擊所述電極的出光面,形成的微觀結(jié)構(gòu)為凹凸不平的起伏結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極的制備方法,其特征在于,所述等離子體為氬等離子體。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電極的制備方法,其特征在于,所述第一透明導(dǎo)電膜層的形成條件為:功率大于3kw,氣壓小于0.6pa,反應(yīng)氣為Ar;所述第二透明導(dǎo)電膜層的形成條件為:功率小于0.5kw,氣壓大于1pa,反應(yīng)氣Ar和O2。
13.一種發(fā)光器件,其特征在于,包括:
權(quán)利要求1至8任一項所述的電極,所述電極為第一電極;
第二電極;
發(fā)光層,所述發(fā)光層設(shè)置于所述第一電極與所述第二電極之間。
14.一種顯示面板,其特征在于,包括權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111363997.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





