[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202111359577.8
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN113889530A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 黃敬源
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 深圳宜保知識產權代理事務所(普通合伙) 44588
• 代理人: 王琴;曹玉存

一種半導體裝置，包括勢壘層、介電層、第一間隔件、第二間隔件以及柵極。介電層其安置于勢壘層上并且界定第一凹部。第一間隔件安置于第一凹部內。第二間隔件安置于第一凹部內，并與第一間隔件分隔開，其中勢壘層包括介于第一間隔件與第二間隔件之間的第二凹部。柵極安置于第一間隔件與第二間隔件之間，并填充至勢壘層的第二凹部內，以接觸勢壘層，其中柵極界定柵極凹部。

本申請是2020年03月25日提交的題為“半導體裝置和其制造方法”的中國專利申請202080000989.X的分案申請。

技術領域

本公開涉及一種半導體裝置，且更具體地說，涉及高電子遷移率半導體裝置和其制造方法。

背景技術

高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種類別的場效應晶體管。不同于金屬氧化物半導體(MOS)場效應晶體管，HEMT使用具有不同能隙的兩種材料形成異質結。異質結的極化會在溝道層中形成二維電子氣體(2DEG)區，從而提供用于載體的溝道。HEMT由于其高頻率特性而引起格外關注。因為其可在高頻率下工作，所以廣泛用于各種射頻(RF)裝置或移動裝置中。

在RF應用中，HEMT的柵極輪廓可影響HEMT的頻率特性和/或性能。為了制造具有所要柵極輪廓的HEMT，具有特定精確度要求的機器可為必要的且因此可引起高制造成本。因此，需要提供解決以上問題的半導體裝置和其制造方法。

發明內容

在本公開的一些實施例中，提供一種半導體裝置。所述半導體裝置包含勢壘層、介電層、第一間隔件、第二間隔件以及柵極。介電層其安置于勢壘層上并且界定第一凹部。第一間隔件安置于第一凹部內。第二間隔件安置于第一凹部內，并與第一間隔件分隔開，其中勢壘層包括介于第一間隔件與第二間隔件之間的第二凹部。柵極安置于第一間隔件與第二間隔件之間，并填充至勢壘層的第二凹部內，以接觸勢壘層，其中柵極界定柵極凹部。

在本公開的一些實施例中，提供一種半導體裝置。所述半導體裝置包含勢壘層、介電層第一間隔件第二間隔件柵極以及第一保護層。介電層安置于勢壘層上并且界定第一凹部。第一間隔件安置于第一凹部內。第二間隔件安置于第一凹部內，并與第一間隔件分隔開。柵極安置于間隔件的第一部分與間隔件的第二部分之間，其中柵極界定柵極凹部。第一保護層包括介于第一間隔件與介電層之間的第一部分，且第一保護層包括介于第一間隔件與勢壘層之間的第二部分，其中第一保護層的第一部分包含位于第一間隔件與介電層之間的彎曲表面，且彎曲表面自介電層延伸至第一間隔件，其中彎曲表面與介電層的連接處的高度異于彎曲表面與第一間隔件的連接處的高度。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下具體實施方式容易理解本公開的各方面。應注意，各種特征可能并不按比例繪制。實際上，為了論述清楚起見，可以任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的簡化示意橫截面視圖。

圖1B是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的簡化示意橫截面視圖。

圖1C是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的放大視圖。

圖1D是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的放大視圖。

圖1E是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的放大視圖。

圖1F是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的簡化示意橫截面視圖。

圖1G是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的簡化示意橫截面視圖。

圖2A是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的簡化示意橫截面視圖。

圖2B是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的放大視圖。

圖2C是根據本公開的某些實施例的半導體結構的一部分的放大視圖。