[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202111359577.8
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN113889530A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 黃敬源
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 深圳宜保知識產權代理事務所(普通合伙) 44588
• 代理人: 王琴;曹玉存

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

勢壘層；

介電層，其安置于所述勢壘層上并且界定第一凹部；

第一間隔件，其安置于所述第一凹部內；

第二間隔件，其安置于所述第一凹部內，并與所述第一間隔件分隔開，其中所述勢壘層包括介于所述第一間隔件與所述第二間隔件之間的第二凹部；以及

柵極，其安置于所述第一間隔件與所述第二間隔件之間，并填充至所述勢壘層的所述第二凹部內，以接觸所述勢壘層，其中所述柵極界定柵極凹部。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二凹部的底部包括傾斜表面。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二凹部的底部還包括水平表面，且所述水平表面的位置低于所述傾斜表面的位置。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述水平表面直接連接所述傾斜表面。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一間隔件接觸所述勢壘層而形成界面，其中所述界面和所述傾斜表面的最淺部分之間存在第一深度，其中所述界面和所述水平表面之間存在第二深度，且所述第二深度與所述第一深度相異。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二深度大于所述第一深度。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵極接觸所述第一間隔件而形成界面，且所述界面為相對粗糙表面。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵極接觸所述介電層而形成界面，且所述界面為相對粗糙表面。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一間隔件包含在所述介電層的表面上延伸的部分。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一間隔件的所述部分接觸所述柵極并形成界面，且所述界面為相對粗糙表面。

11.一種半導體裝置，其包括：

勢壘層；

介電層，其安置于所述勢壘層上并且界定第一凹部；

第一間隔件，其安置于所述第一凹部內；

第二間隔件，其安置于所述第一凹部內，并與所述第一間隔件分隔開；

柵極，其安置于所述間隔件的第一部分與所述間隔件的第二部分之間，其中所述柵極界定柵極凹部；以及

第一保護層，其中所述第一保護層包括介于所述第一間隔件與所述介電層之間的第一部分，且所述第一保護層包括介于所述第一間隔件與所述勢壘層之間的第二部分，其中所述第一保護層的所述第一部分包含位于所述第一間隔件與所述介電層之間的彎曲表面，且所述彎曲表面自所述介電層延伸至所述第一間隔件，其中所述彎曲表面與所述介電層的連接處的高度異于所述彎曲表面與所述第一間隔件的連接處的高度。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述彎曲表面與所述介電層的連接處的高度比所述彎曲表面與所述第一間隔件的連接處的高度還高。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述彎曲表面與所述介電層的連接處的高度比所述彎曲表面與所述第一間隔件的連接處的高度還低。

14.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵極接觸所述彎曲表面。

15.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵極沿著所述彎曲表面自所述介電層延伸至所述第一間隔件。

16.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵極接觸所述第一間隔件的上表面而形成界面，且所述界面為相對粗糙表面。