[發明專利]用于先進集成電路結構制造的具有錐變柵極或溝槽接觸部的有源柵極上接觸結構在審
| 申請號： | 202111357798.1 | 申請日： | 2021-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN114639724A | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發明（設計）人： | C·H·華萊士;M·K·哈蘭;A·C-H·韋 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 先進 集成電路 結構 制造 具有 柵極 溝槽 接觸 有源 | ||
1.一種集成電路結構，包括：
在襯底上方的多個柵極結構，其中，所述多個柵極結構中的各個柵極結構上具有在側壁間隔體之間的導電帽蓋；
與所述多個柵極結構交替的多個導電溝槽接觸結構，其中，所述多個導電溝槽接觸結構中的各個導電溝槽接觸結構上具有在側壁間隔體之間的導電帽蓋；
在所述多個柵極結構之上并且在所述多個導電溝槽接觸結構之上的蝕刻停止層；
在所述蝕刻停止層之上的層間電介質材料；
在所述層間電介質材料中并且在所述蝕刻停止層中的開口，所述開口暴露所述多個柵極結構中的一個柵極結構上的所述導電帽蓋和所述側壁間隔體；以及
在所述開口中的導電結構，所述導電結構與在所述多個柵極結構中的所述一個柵極結構上的所述導電帽蓋和所述側壁間隔體直接接觸。
2.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括沿所述多個柵極結構中的所述一個柵極結構的側面的電介質間隔體，其中，所述開口暴露所述電介質間隔體的一部分。
3.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，還包括所述蝕刻停止層的在所述導電結構與所述導電帽蓋之間的殘余部分。
4.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，其中，所述導電結構具有與所述層間電介質材料的最上表面共平面的最上表面。
5.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，其中，所述蝕刻停止層包括鋁和氧，并且所述側壁間隔體包括硅和氮。
6.一種集成電路結構，包括：
在襯底上方的多個柵極結構，其中，所述多個柵極結構中的各個柵極結構上具有在側壁間隔體之間的導電帽蓋；
與所述多個柵極結構交替的多個導電溝槽接觸結構，其中，所述多個導電溝槽接觸結構中的各個導電溝槽接觸結構上具有在側壁間隔體之間的導電帽蓋；
在所述多個柵極結構之上并且在所述多個導電溝槽接觸結構之上的蝕刻停止層；
在所述蝕刻停止層之上的層間電介質材料；
在所述層間電介質材料中并且在所述蝕刻停止層中的開口，所述開口暴露所述多個導電溝槽接觸結構中的一個導電溝槽接觸結構上的所述導電帽蓋和所述側壁間隔體；以及
在所述開口中的導電結構，所述導電結構與在所述導電溝槽接觸結構中的所述一個導電溝槽接觸結構上的所述導電帽蓋和所述側壁間隔體直接接觸。
7.根據權利要求6所述的集成電路結構，還包括沿所述多個導電溝槽接觸結構中的所述一個導電溝槽接觸結構的側面的電介質間隔體，其中，所述開口暴露所述電介質間隔體的一部分。
8.根據權利要求6或7所述的集成電路結構，還包括所述蝕刻停止層的在所述導電結構與所述導電帽蓋之間的殘余部分。
9.根據權利要求6或7所述的集成電路結構，其中，所述導電結構具有與所述層間電介質材料的最上表面共平面的最上表面。
10.根據權利要求6或7所述的集成電路結構，其中，所述蝕刻停止層包括鋁和氧，并且所述側壁間隔體包括硅和氮。
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