[發明專利]硅片方位調準裝置及硅片缺陷檢測設備

有效

• 申請號: 202111355514.5
• 申請日: 2021-11-16
• 公開（公告）號: CN113793826B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 曹巖;牛景豪
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/67;H01L21/66;G01N21/95
• 代理公司: 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253
• 代理人: 李斌棟;姚勇政

本發明實施例公開了一種用于對硅片的方位進行調準的調準裝置及用于檢測硅片的缺陷的設備，所述調準裝置包括：承載驅動單元，所述承載驅動單元用于對所述硅片進行承載；定位單元，所述定位單元用于當所述硅片承載在所述承載驅動單元上時通過所述硅片的周緣邊界確定所述硅片的實際方位；計算單元，所述計算單元用于計算所述實際方位相對于所述硅片的目標方位的偏移量；其中，所述承載驅動單元還用于根據所述偏移量驅動被承載的所述硅片從所述實際方位運動至所述目標方位。

技術領域

本發明涉及半導體硅片產生領域，尤其涉及一種用于對硅片的方位進行調準的調準裝置及用于檢測硅片的缺陷的設備。

背景技術

在半導體領域，硅片一般是集成電路的原料。通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導體器件。硅片的表面缺陷對于后續的加工以及器件的性能有著極其重要的影響。表面缺陷的來源有很多，包括有在晶棒提拉過程中形成的如晶體原生缺陷、氧化誘生堆垛層錯等，以及在線切割、拋光或清洗等硅片加工過程中引入的劃傷，顆粒等，這些表面缺陷都會影響到硅片的良率。目前，集成電路特征線寬的不斷減小要求硅片表面的缺陷尺寸更小，數目更低，硅片的表面缺陷成為衡量產品質量的一個關鍵因素。

目前，硅片表面缺陷主要通過顆粒檢測機來進行檢測。通常，為了研究分析某些缺陷的產生原因，需要匹配電子顯微掃描儀來對其形貌特征和元素占比進行分析。為便于找到待測量的缺陷，需要顆粒檢測機能夠精確的定位到硅片上每一缺陷點的坐標位置，而缺陷的尺寸往往為納米或微米級別，因此要求對硅片有高定位精度。

顆粒檢測機的調準裝置對硅片缺口位置的校準統一采用供應商提供的標準硅片進行。但現階段，對于300mm硅片的尺寸要求業界并沒有統一的標準，每家公司生產的硅片在直徑、缺口大小等由于加工規格和加工誤差的限制，導致各公司間、各批次產品以及各個硅片間的尺寸規格存在差異，這往往導致硅片的定位裝置并不能精確確定其位置信息，由此導致多次定位甚至設備宕機，嚴重影響產能。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明實施例期望提供一種用于對硅片的方位進行調準的調準裝置及用于檢測硅片的缺陷的設備，能夠實現對不同規格和尺寸的硅片進行精確定位。

本發明的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本發明實施例提供了一種用于對硅片的方位進行調準的調準裝置，所述調準裝置包括：

承載驅動單元，所述承載驅動單元用于對所述硅片進行承載；

定位單元，所述定位單元用于當所述硅片承載在所述承載驅動單元上時通過所述硅片的周緣邊界確定所述硅片的實際方位；

計算單元，所述計算單元用于計算所述實際方位相對于所述硅片的目標方位的偏移量；

其中，所述承載驅動單元還用于根據所述偏移量驅動被承載的所述硅片從所述實際方位運動至所述目標方位。

第二方面，本發明實施例提供了一種用于檢測硅片的缺陷的設備，所述設備包括：

根據第一方面所述的調準裝置；

檢測裝置，所述檢測裝置用于在所述硅片處于所述目標方位的情況下對所述硅片的缺陷進行檢測，以根據所述目標方位獲知檢測出的缺陷在所述硅片中的分布位置。

本發明實施例提供了一種用于對硅片的方位進行調準的調準裝置及用于檢測硅片的缺陷的設備，對于每個硅片而言，都可以通過該硅片的周緣邊界來對該硅片的實際方位進行確定，并且在確定過程中不會受到硅片直徑、缺口大小等因素的影響，由此能夠實現對硅片進行精確定位和調準，并且能夠精確檢測出表面缺陷的分布。

附圖說明

圖1為根據本發明的實施例的用于對硅片的方位進行調準的調準裝置的示意圖；

圖2為根據本發明的實施例的定位單元的示意圖；