[發明專利]硅片方位調準裝置及硅片缺陷檢測設備有效
| 申請號: | 202111355514.5 | 申請日: | 2021-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN113793826B | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發明(設計)人: | 曹巖;牛景豪 | 申請(專利權)人: | 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/66;G01N21/95 |
| 代理公司: | 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 李斌棟;姚勇政 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 方位 調準 裝置 缺陷 檢測 設備 | ||
1.一種用于對硅片的方位進行調準的調準裝置,其特征在于,所述調準裝置包括:
承載驅動單元,所述承載驅動單元用于對所述硅片進行承載;
定位單元,所述定位單元用于當所述硅片承載在所述承載驅動單元上時通過所述硅片的周緣邊界確定所述硅片的實際方位;
計算單元,所述計算單元用于計算所述實際方位相對于所述硅片的目標方位的偏移量;
其中,所述承載驅動單元還用于根據所述偏移量驅動被承載的所述硅片從所述實際方位運動至所述目標方位,
其中,所述定位單元包括:
光源,所述光源用于發射部分地被所述硅片遮擋的光束以獲得被所述硅片遮擋并且被所述硅片反射的反射光束以及不被所述硅片遮擋并且不被所述硅片反射的原路光束;
光屏,所述光屏設置成被所述反射光束照射以使得所述反射光束在所述光屏上形成與所述硅片的周緣邊界相關聯的反射光斑,或者設置成被所述原路光束照射以使得所述原路光束在所述光屏上形成與所述硅片的周緣邊界相關聯的原路光斑;
感測器,所述感測器用于對所述反射光斑進行感應并根據感應到的光斑測算所述周緣邊界中的每一點的實際位置,或者用于對所述原路光斑進行感應并根據感應到的光斑測算所述周緣邊界中的每一點的實際位置,
其中,所述定位單元還包括至少一個球面反射鏡,所述至少一個球面反射鏡用于對所述反射光束進行反射并且構造成使得所述反射光斑的長度大于所述反射光束在所述硅片所處于的平面中的長度,或者用于對所述原路光束進行反射并且構造成使得所述原路光斑的長度大于所述原路光束在所述硅片所處于的平面中的長度。
2.根據權利要求1所述的調準裝置,其特征在于,從所述光源發射的所述光束僅照射所述硅片的周緣上的單個點,并且所述承載驅動單元還用于驅動被承載的所述硅片轉動,以使得從所述光源發射的光束能夠對所述硅片的周緣上的每個點進行照射。
3.根據權利要求1所述的調準裝置,其特征在于,從所述光源發射的所述光束是發散的,使得所述反射光斑的長度大于所述反射光束在所述硅片所處于的平面中的長度,并且使得所述原路光斑的長度大于所述原路光束在所述硅片所處于的平面中的長度。
4.根據權利要求3所述的調準裝置,其特征在于,所述定位單元還包括至少一個平面反射鏡,所述至少一個平面反射鏡用于對所述反射光束進行反射,或者用于對所述原路光束進行反射。
5.根據權利要求1所述的調準裝置,其特征在于,所述偏移量包括硅片中心的偏心量和硅片周緣缺口的偏轉角。
6.根據權利要求5所述的調準裝置,其特征在于,所述承載驅動單元包括:
旋轉升降平臺,所述旋轉升降平臺用于對所述硅片進行承載并用于驅動承載在所述旋轉升降平臺上的所述硅片轉動以消除所述偏轉角,并且所述旋轉升降平臺能夠在升起位置與降下位置之間移動,其中,所述實際方位在所述硅片承載在處于所述升起位置中的所述旋轉升降平臺上時確定出;
定心平臺,所述定心平臺用于對所述硅片進行承載并用于驅動承載在所述定心平臺上的所述硅片移動以消除所述偏心量;
其中,在所述旋轉升降平臺從所述升起位置移動至所述降下位置的過程中,承載在所述旋轉升降平臺上的所述硅片被所述定心平臺承載并離開所述旋轉升降平臺。
7.根據權利要求6所述的調準裝置,其特征在于,所述旋轉升降平臺具有位于中央的用于吸附所述硅片的吸氣口和位于徑向外側的用于朝向所述硅片提供氣流的供氣口。
8.一種用于檢測硅片的缺陷的設備,其特征在于,所述設備包括:
根據權利要求1至7中任一項所述的調準裝置;
檢測裝置,所述檢測裝置用于在所述硅片處于所述目標方位的情況下對所述硅片的缺陷進行檢測。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司,未經西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111355514.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





