[發明專利]LED芯片組件及其制備方法、顯示面板制備方法在審
| 申請號: | 202111353435.0 | 申請日: | 2021-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN116137278A | 公開(公告)日: | 2023-05-19 |
| 發明(設計)人: | 戴廣超;馬非凡;曹進;王子川;趙世雄 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 李發兵 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 芯片 組件 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
本申請提供一種LED芯片組件及其制備方法、顯示面板制備方法。在轉移LED芯片到驅動背板的過程中,只要將LED芯片組件與驅動背板對齊,并讓LED芯片的迎背面朝向驅動背板,就可以保證LED芯片在操作體的施壓下直接掉落到驅動背板的芯片接收區,轉移過程簡單、便捷,且在多個操作體同時工作的情況下,就可以保證多顆LED芯片同時被轉移到驅動背板,提升了LED芯片的轉移效率。另外LED芯片掉落的過程實際上就是LED芯片穿出貫穿口的過程,而LED芯片穿出貫穿口時在水平方向上的移動會受到貫穿口側壁的限制,這樣可以利用貫穿口側壁限制LED芯片掉落過程在水平方向上的偏移,減少LED芯片的偏移與翻轉,提升LED芯片轉移位置的精確性,提升LED芯片的轉移良率。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種LED芯片組件及其制備方法、顯示面板制備方法。
背景技術
Micro-LED(微發光二極管)在晶圓上制備完成以后,通常需要通過兩次甚至兩次以上的轉移才能被鍵合到驅動背板上實現顯示面板的制備。由于Micro-LED尺寸小,所以需要進行巨量轉移,即一次性轉移大量的芯片到驅動背板上,在一些生產情景中要求針對Micro-LED的轉移達到每小時3×106顆。目前很多廠商選擇通過微印章轉移技術,利用范德華力將Micro-LED轉移到驅動背板上,不過微印章轉移技術的轉移良率、轉移效率都不理想,因此,如何將Micro-LED快速轉移到驅動背板是目前亟待解決的問題。
發明內容
鑒于上述相關技術的不足,本申請的目的在于提供一種LED芯片組件及其制備方法、顯示面板制備方法,旨在解決LED芯片轉移效率良率不高的問題。
本申請提供一種LED芯片組件,包括:
設有多個貫穿口的圖案化基板;
設于圖案化基板一面且與圖案化基板結合的圖案化支撐層;以及
多顆至少部分伸入貫穿口中LED芯片;
其中,LED芯片部分嵌入圖案化支撐層中,且其迎背面背向圖案化支撐層;圖案化支撐層與LED芯片的離背面相對的位置處鏤空,供操作體自鏤空處伸入并觸及LED芯片,以向LED芯片施加壓力使LED芯片從圖案化支撐層脫落并從貫穿口脫出;迎背面與離背面分別為LED芯片固定在驅動背板上時朝向驅動背板的一面與背向驅動背板的一面。
上述LED芯片組件中,LED芯片部分嵌入圖案化支撐層,且圖案化支撐層與圖案化基板結合在一起,這樣可以使得LED芯片在被轉移到驅動背板之前能夠被懸空支撐在圖案化基板的貫穿口中。同時,圖案化支撐層與LED芯片的離背面相對的位置外露,可以保證轉移LED芯片到驅動背板的過程中外部操作體能夠從鏤空位置處伸入并觸及LED芯片,從而向LED芯片施加壓力,讓LED芯片得以在壓力作用下從圖案化支撐層中脫落,通過圖案化基板上的貫穿口掉落。故,在轉移LED芯片組件中的LED芯片到驅動背板的過程中,只要將LED芯片組件與驅動背板對齊,并讓LED芯片的迎背面朝向驅動背板,就可以保證LED芯片在操作體的施壓下直接掉落到驅動背板的芯片接收區,轉移過程簡單、便捷,且在多個操作體同時工作的情況下,就可以保證多顆LED芯片同時被轉移到驅動背板,提升了LED芯片的轉移效率。另外LED芯片掉落的過程實際上就是LED芯片穿出貫穿口的過程,而LED芯片穿出貫穿口時在水平方向上的移動會受到貫穿口側壁的限制,這樣可以利用貫穿口側壁限制LED芯片掉落過程在水平方向上的偏移,減少LED芯片的偏移與翻轉,提升LED芯片轉移位置的精確性,提升LED芯片的轉移良率。
可選地,圖案化支撐層與LED芯片的離背面相對的位置處設置有鏤空的操作孔。
上述LED芯片組件中,圖案化支撐層在與LED芯片的離背面相對的位置處設置有鏤空的操作孔,操作孔的橫截面積比較小,通常只有操作體可以伸入,可以減少LED芯片組件在運輸過程中LED芯片因外力撞擊等原因脫落的概率,提升了LED芯片組件的可靠性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





