[發(fā)明專(zhuān)利]光阻層的加工方法、顯示面板的制作方法以及顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111350222.2
• 申請(qǐng)日: 2021-11-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114122090B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建榮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10K59/123
• 分類(lèi)號(hào): H10K59/123;H10K59/122;H10K59/121;H10K59/131;H10K71/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 黃銳

1.一種光阻層的加工方法，其特征在于，包括：

步驟B1、形成負(fù)性光阻層；

步驟B2、對(duì)所述負(fù)性光阻層的第一曝光區(qū)域進(jìn)行第一次曝光處理；

步驟B3、對(duì)所述負(fù)性光阻層的第二曝光區(qū)域進(jìn)行第二次曝光處理，所述第二曝光區(qū)域至少具有設(shè)于所述第一曝光區(qū)域的一側(cè)且與所述第一曝光區(qū)域連接的部分，所述第一次曝光處理的曝光量大于所述第二次曝光處理的曝光量；

步驟B4、對(duì)所述負(fù)性光阻層進(jìn)行顯影處理，去除未進(jìn)行光反應(yīng)的所述負(fù)性光阻層；

步驟B5、對(duì)剩余的所述負(fù)性光阻層進(jìn)行加熱固化處理，得到底切結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的光阻層的加工方法，其特征在于，所述第一曝光區(qū)域設(shè)于所述第二曝光區(qū)域內(nèi)，所述第二曝光區(qū)域的面積大于所述第一曝光區(qū)域的面積。

3.如權(quán)利要求1所述的光阻層的加工方法，其特征在于，所述第一曝光區(qū)域和所述第二曝光區(qū)域部分重疊。

4.如權(quán)利要求1所述的光阻層的加工方法，其特征在于，所述第二曝光區(qū)域設(shè)于所述第一曝光區(qū)域的側(cè)面，且所述第二曝光區(qū)域與所述第一曝光區(qū)域連接。

5.如權(quán)利要求1所述的光阻層的加工方法，其特征在于，所述第一次曝光處理的曝光時(shí)間大于所述第二次曝光處理的曝光時(shí)間。

6.如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的光阻層的加工方法，其特征在于，在所述步驟B2中，還對(duì)所述負(fù)性光阻層的第三曝光區(qū)域進(jìn)行第一次曝光處理，所述第一曝光區(qū)域和所述第三曝光區(qū)域間隔設(shè)置，所述第二曝光區(qū)域和所述第三曝光區(qū)域間隔設(shè)置；

在所述步驟B5中，所述負(fù)性光阻層對(duì)應(yīng)所述第一曝光區(qū)域和所述第二曝光區(qū)域的部分形成所述底切結(jié)構(gòu)，所述負(fù)性光阻層對(duì)應(yīng)所述第三曝光區(qū)域的部分形成凸臺(tái)結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的光阻層的加工方法，其特征在于，所述底切結(jié)構(gòu)具有負(fù)坡度角，所述凸臺(tái)結(jié)構(gòu)具有正坡度角。

8.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

步驟B10、在基板上形成第一像素定義層，所述第一像素定義層為負(fù)性光阻層，所述基板設(shè)有間隔設(shè)置的輔助電極和第一電極，所述第一像素定義層設(shè)有堤壩區(qū)域、開(kāi)口區(qū)域、過(guò)孔區(qū)域以及第一底切區(qū)域，所述堤壩區(qū)域圍合形成所述開(kāi)口區(qū)域，所述堤壩區(qū)域和所述第一底切區(qū)域圍合形成所述過(guò)孔區(qū)域，所述過(guò)孔區(qū)域?qū)?yīng)所述輔助電極設(shè)置，所述開(kāi)口區(qū)域?qū)?yīng)所述第一電極設(shè)置；

步驟B20、對(duì)所述第一像素定義層的所述堤壩區(qū)域和所述第一底切區(qū)域進(jìn)行第一次曝光處理；

步驟B30、對(duì)所述第一像素定義層的第二底切區(qū)域進(jìn)行第二次曝光處理，所述第二底切區(qū)域的一側(cè)延伸至所述第一底切區(qū)域，所述第二底切區(qū)域的另一側(cè)連接于所述過(guò)孔區(qū)域，所述第一次曝光處理的曝光量大于所述第二次曝光處理的曝光量；

步驟B40、對(duì)所述第一像素定義層進(jìn)行顯影處理，去除所述開(kāi)口區(qū)域和所述過(guò)孔區(qū)域的所述第一像素定義層，形成露出所述第一電極的像素開(kāi)口以及露出所述輔助電極的搭接過(guò)孔；

步驟B50、對(duì)剩余的所述第一像素定義層進(jìn)行加熱固化處理，對(duì)應(yīng)所述第一底切區(qū)域和所述第二底切區(qū)域的所述第一像素定義層形成底切結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)所述堤壩區(qū)域的所述第一像素定義層形成堤壩，所述堤壩圍合形成用于露出所述第一電極的像素開(kāi)口，所述堤壩和所述底切結(jié)構(gòu)圍合形成用于露出所述輔助電極的搭接過(guò)孔；

步驟B60、在所述第一電極上形成發(fā)光層；

步驟B70、在所述發(fā)光層上形成第二電極，所述第二電極延伸至所述搭接過(guò)孔內(nèi)并與所述輔助電極連接。

9.如權(quán)利要求8所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一底切區(qū)域設(shè)于所述第二底切區(qū)域內(nèi)，所述第二底切區(qū)域的面積大于所述第一底切區(qū)域的面積。

10.如權(quán)利要求8所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一底切區(qū)域和所述第二底切區(qū)域部分重疊。