[發明專利]一種六方氮化硼模板的制備方法有效
| 申請號： | 202111348902.0 | 申請日： | 2021-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN114059166B | 公開（公告）日： | 2022-06-21 |
| 發明（設計）人： | 張紀才 | 申請（專利權）人： | 北京化工大學 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B25/18;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京力量專利代理事務所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人： | 王鴻遠 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 模板 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種六方氮化硼模板的制備方法，包括：
將異質襯底放入CVD或者HVPE反應腔室，向反應腔室內通入氮氣和/或氫氣，并將反應腔室的溫度升溫至1300-1500℃，以達到生長BAlN的生長溫度，所述異質襯底為藍寶石或SiC襯底；
在1300-1500℃下，向反應腔室內通入氫氣以清洗異質襯底，清洗時間為5-10分鐘；
在1300-1500℃條件下，同時向反應腔室內通入氮源、鋁源和硼源，使氮源的通入流量為10-5000sccm，鋁源和硼源的通入流量分別為0.05-10sccm，并控制反應腔室的生長壓力為10-100Torr，以生長成厚度為50-1000nm的BAlN層；以及
在BAlN層厚度達到50-1000nm后，改變生長條件，將反應腔室內的生長溫度提升1500-1700℃，壓力為10-100Torr，使氮源的通入流量為10-1000sccm，硼源的通入流量為0.05-50sccm，在BAlN緩沖層上原位生長厚度為2-10μm的六方氮化硼模板，其中，所述六方氮化硼模板的生長速率為0.1-20μm/h。
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