[發(fā)明專利]一種集成化參數(shù)測(cè)量裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111348727.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-11-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113777463A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 寇文超;楊勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 偉恩測(cè)試技術(shù)(武漢)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26 |
| 代理公司: | 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 張凱 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成化 參數(shù) 測(cè)量 裝置 | ||
1.一種集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,所述裝置包括:
參數(shù)測(cè)量單元,所述參數(shù)測(cè)量單元包括:
環(huán)路控制子單元,其用于基于FVMI或FIMV模式向待測(cè)器件輸出恒定電流或恒定電壓;
電壓測(cè)量子單元,其用于測(cè)量所述待測(cè)器件的電壓;
電流測(cè)量子單元,其用于測(cè)量所述待測(cè)器件的電流;
第一控制器,其用于控制所述參數(shù)測(cè)量單元,還用于接收所述電壓測(cè)量子單元和所述電流測(cè)量子單元的采樣數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,所述環(huán)路控制子單元包括:
用于與所述第一控制器連接的串行電路接口;
用于進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的寄存器;
多個(gè)用于輸出恒定電流或恒定電壓的環(huán)路控制電路。
3.如權(quán)利要求2所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于:
所述第一控制器還用于向所述環(huán)路控制子單元發(fā)送工作模式指令或工作參數(shù)指令;
所述第一控制器還用于讀取所述環(huán)路控制子單元的所述寄存器,判斷所述工作模式指令或所述工作參數(shù)指令是否接收成功,待判斷接收成功后,向所述環(huán)路控制子單元發(fā)送輸出指令。
4.如權(quán)利要求1所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于:
所述環(huán)路控制子單元還配置有功率放大電路。
5.如權(quán)利要求1所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,所述第一控制器包括:
通信控制模塊,其用于與上位機(jī)進(jìn)行連接,接收所述上位機(jī)傳輸?shù)目刂浦噶睿?/p>
數(shù)據(jù)處理模塊,其用于對(duì)所述采樣數(shù)據(jù)進(jìn)行處理;
主控制器模塊,其用于控制所述環(huán)路控制子單元;
測(cè)量電路控制模塊,其用于控制所述電壓測(cè)量子單元與所述電流測(cè)量子單元;
采樣控制模塊,其用于獲取所述采樣數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求5所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,所述第一控制器還包括:
SOC/SOPC,其用于輔助所述數(shù)據(jù)處理模塊、所述主控制器模塊進(jìn)行控制和數(shù)據(jù)處理。
7.如權(quán)利要求1所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,所述電壓測(cè)量子單元配置一電壓測(cè)量計(jì)算公式;
所述電壓測(cè)量計(jì)算公式為:
T電壓=V0*C/(G電壓*2N);其中,
G電壓為設(shè)定所述電壓測(cè)量子單元的電壓反饋調(diào)理電路增益,V0為所述電壓測(cè)量子單元內(nèi)部配置的ADC的輸入量程,N為所述ADC的分辨率,C為所述ADC采集得到的碼值,T電壓為電壓測(cè)量值。
8.如權(quán)利要求1所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,所述電流測(cè)量子單元配置一電流測(cè)量計(jì)算公式;
所述電流測(cè)量計(jì)算公式為:
T電流=(V0*C)/(G電流*R*2N);其中,
G電流為設(shè)定所述電流測(cè)量子單元的電流反饋調(diào)理電路增益,V0為所述電流測(cè)量子單元內(nèi)部配置的ADC的輸入量程,N為所述ADC的分辨率,C為所述ADC采集得到的碼值,R為所述電流測(cè)量子單元內(nèi)部配置的電阻的電阻值,T電流為電壓測(cè)量值。
9.如權(quán)利要求2所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,環(huán)路控制電路包括:
DAC、比較器、誤差放大器、電流反饋開(kāi)關(guān)和電壓反饋開(kāi)關(guān)。
10.如權(quán)利要求9所述的集成化參數(shù)測(cè)量裝置,其特征在于,環(huán)路控制電路包括:
當(dāng)所述環(huán)路控制子單元接收到工作模式設(shè)置指令時(shí),選擇電壓反饋開(kāi)關(guān)或電流反饋開(kāi)關(guān);
當(dāng)所述環(huán)路控制子單元接收到輸出參數(shù)設(shè)置指令時(shí),根據(jù)所述輸出參數(shù)設(shè)置指令中的設(shè)置DAC寄存器地址位選擇DAC寄存器,并更新DAC寄存器內(nèi)容;
當(dāng)所述環(huán)路控制子單元接收到狀態(tài)讀取設(shè)置指令時(shí),根據(jù)所述狀態(tài)讀取設(shè)置指令中的待讀取DAC寄存器地址位選擇DAC寄存器,將DAC寄存器數(shù)據(jù)讀取到對(duì)應(yīng)的DAC數(shù)據(jù)位。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 測(cè)量設(shè)備、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
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