[發明專利]聚焦環及包括聚焦環的基板處理裝置

在審

• 申請號: 202111348658.8
• 申請日: 2021-11-15
• 公開（公告）號: CN114664624A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 金真奕;李東穆;魏永勛;咸龍炫;鄭泳敎
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 王茜;臧建明

本發明公開聚焦環及包括聚焦環的基板處理裝置?；逄幚硌b置可包括：處理模塊，其包括對基板執行所需工序的至少一個工程腔室；及轉位模塊，其從外部向所述處理模塊內移送所述基板。所述至少一個工程腔室可包括：內部提供工程空間的外殼；配置在所述外殼內以支撐基板，具備包括多個環的聚焦環的支撐單元；向所述工程空間內供應工程氣體的氣體供應單元；以及在所述工程空間內從所述工程氣體產生等離子體的等離子體生成單元。所述聚焦環可具有包括朝向所述基板向下方配置的多個階梯部分的階梯結構。本發明能夠大幅提升所述聚焦環的壽命，能夠分別大幅提升包括所述聚焦環的工程腔室及包括所述聚焦環的基板處理裝置的壽命。

本申請享有2020年12月23日向韓國專利廳申請的韓國專利申請第

10-2020-0181873號的優先權。

技術領域

本發明的例示性實施例涉及聚焦環及包括聚焦環的基板處理裝置。更具體來講，本發明的例示性實施例涉及包括階梯結構的聚焦環及具備這種聚焦環的基板處理裝置。

背景技術

集成電路裝置或者顯示裝置可使用大體包括沉積腔室、濺射腔室、蝕刻腔室、清洗腔室、干燥腔室等多種工程腔室的基板處理裝置制作。這種工程腔室中所包含的構成要素在所述工程腔室內進行多種工藝期間能夠受到損傷。尤其，在所述工程腔室內對基板執行等離子體蝕刻工藝時，向所述基板上引導等離子體的聚焦環容易受損，從而可縮短所述聚焦環的壽命。例如，包括由碳化硅構成的內側環及由氧化硅構成的外側環的現有聚焦環可能會容易被含有氟的蝕刻氣體產生的等離子體損傷，這種損傷能夠導致所述聚焦環的壽命下降。

發明內容

技術問題

本發明的一方面提供包括階梯結構從而能夠大幅提升壽命的聚焦環。

本發明的另一方面提供具備包括階梯結構從而能夠大幅提升壽命的聚焦環的工程腔室。

本發明的又一方面提供具備包括階梯結構從而能夠大幅提升壽命的聚焦環的基板處理裝置。

技術方案

在本發明的一方面可提供聚焦環，可包括：與基板接觸的第一環、與所述第一環結合的第二環、與所述第二環結合的第三環及設于所述第二環與所述第三環之間的階梯結構。

在例示性實施例中，所述第一環可具有第一蝕刻率，所述第二環可具有第二蝕刻率，所述第三環可具有第三蝕刻率。該情況下，對于含氟的蝕刻氣體，所述第一蝕刻率和所述第二蝕刻率可以實質上相同，所述第三蝕刻率可比所述第一蝕刻率及所述第二蝕刻率實質上大。例如，所述第一環和所述第二環可含碳化硅，所述第三環可含氧化硅。

在例示性實施例中，所述階梯結構可形成于所述第二環與所述第三環之間的界面、所述第二環的一側或者所述第三環的一側。

在例示性實施例中，所述階梯結構可朝向所述基板向下方配置。

在例示性實施例中，所述階梯結構可包括多個階梯部分。該情況下，所述階梯結構可包括能夠朝向所述基板向下方配置的第一階梯部分、第二階梯部分、第三階梯部分及第四階梯部分。并且，所述第一階梯部分至所述第四階梯部分可具有朝向所述基板實質上增加的深度及實質上減小的寬度。例如，所述第一階梯部分可具有第一深度及第一寬度，所述第二階梯部分可具有比所述第一深度實質上大的第二深度以及比所述第一寬度實質上小的第二寬度，所述第三階梯部分可具有比所述第二深度實質上大的第三深度以及比所述第二寬度實質上小的第三寬度，所述第四階梯部分可具有比所述第三深度實質上大的第四深度以及比所述第三寬度實質上小的第四寬度。

在例示性實施例中，可在所述第一環的下部提供用于對所述基板的穩定結合的結合階梯結構。