[發(fā)明專(zhuān)利]一種管道焊縫射線檢測(cè)幾何不清晰度控制工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111346295.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-11-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114076775A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李斌;王飛;郭述志;劉春光;李漢勝;黃曉杰;李玉濤 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 國(guó)核示范電站有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N23/04 | 分類(lèi)號(hào): | G01N23/04 |
| 代理公司: | 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332 | 代理人: | 黃建祥 |
| 地址: | 264300 山東*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 管道 焊縫 射線 檢測(cè) 何不 清晰度 控制 工藝 | ||
本發(fā)明涉及核電工程技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)一種管道焊縫射線檢測(cè)幾何不清晰度控制工藝。其中管道焊縫射線檢測(cè)幾何不清晰度控制工藝采用公式Ug=(F×d)/D對(duì)焊縫進(jìn)行幾何不清晰度計(jì)算,其包括:計(jì)算當(dāng)前管道焊縫滿(mǎn)足中心透照工藝Ug限值要求的預(yù)設(shè)d值;管道分多次由內(nèi)到外進(jìn)行焊接,形成根部焊縫和外部焊縫,靠近管道的中心的焊縫為根部焊縫,背離管道的中心的焊縫為外部焊縫,外部焊縫對(duì)應(yīng)的d值需滿(mǎn)足小于預(yù)設(shè)d值;根部焊縫進(jìn)行射線檢測(cè),并修復(fù)焊縫缺陷后,焊接外部焊縫;外部焊縫采用中心透照工藝進(jìn)行射線檢測(cè),外部焊縫的幾何不清晰度控制時(shí),按照外部焊縫對(duì)應(yīng)的D值和d值計(jì)算管道焊縫的Ug值,Ug值小于技術(shù)要求的限值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及核電工程技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種管道焊縫射線檢測(cè)幾何不清晰度控制工藝。
背景技術(shù)
非能動(dòng)核電廠(此處非能動(dòng)核電廠是指采用AP1000、CAP1000和CAP1400等技術(shù)的核電廠,設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)主要依據(jù)ASME規(guī)范)的主管道作為連接壓力容器、蒸汽發(fā)生器和反應(yīng)堆冷卻劑泵的閉式循環(huán)回路,是壓水堆核電站最關(guān)鍵的核安全1級(jí)設(shè)備之一。主管道安裝焊接的質(zhì)量控制要求高,射線檢測(cè)是主管道焊接質(zhì)量控制的重要環(huán)節(jié)。主管道屬于厚壁管道,共有12個(gè)安裝焊縫(熱段4個(gè),冷段8個(gè)),ASME規(guī)范要求最終焊縫進(jìn)行射線檢測(cè),設(shè)計(jì)文件要求每個(gè)安裝焊縫在焊接至15mm、50%厚度和最終焊縫均需進(jìn)行射線檢測(cè)。射線檢測(cè)的質(zhì)量控制和檢測(cè)效率是主管道安裝焊接的技術(shù)難點(diǎn)之一,射線檢測(cè)工藝的幾何不清晰度(Ug)是制約提高主管道焊縫射線檢測(cè)的質(zhì)量和效率的重要因素,幾何不清晰度是表征射線底片影像的邊緣半影寬度。
幾何不清晰度計(jì)算公式為:Ug=(F×d)/D;
Ug:幾何不清晰度;
F:射線源尺寸(mm);(注:與射線源規(guī)格相關(guān),通常為標(biāo)準(zhǔn)尺寸)
D:射線源到被透照工件或焊縫的距離(mm);(注:與工件規(guī)格和透照工藝相關(guān))
d:被透照工件或焊縫的射線源一側(cè)至膠片的距離(mm);(注:規(guī)范是按照檢測(cè)區(qū)域內(nèi)幾何不清晰度最大選取d值,通常為工件厚度)。
現(xiàn)有技術(shù)中,焊縫通過(guò)多次焊接,形成多層焊縫,在每層焊縫焊接結(jié)束后均進(jìn)行射線檢測(cè),但是,每次檢測(cè)對(duì)象的幾何不清晰度控制基準(zhǔn)為檢測(cè)時(shí)多層焊縫的總厚度,計(jì)算Ug值時(shí)選取的D值和d值為多層焊縫疊加后對(duì)應(yīng)的D值和d值,依照上述Ug值只能采用如下工藝進(jìn)行檢測(cè):
熱段焊縫15mm厚度:射線源在外的“單壁單影”工藝;
熱段焊縫50%厚度:射線源在外的“單壁單影”工藝;
熱段焊縫100%厚度:射線源在內(nèi)的“中心透照”工藝;
冷段焊縫15mm厚度:射線源在外的“單壁單影”工藝;
冷段焊縫50%厚度:射線源在外的“單壁單影”工藝;
冷段焊縫100%厚度:射線源在內(nèi)的“偏心透照”工藝。
上述工藝存在如下缺點(diǎn):
1)與“中心透照”工藝相比,“單壁單影”工藝和“偏心透照”工藝存在缺陷畸變、黑度不均勻、橫向缺陷檢出角大等影響檢測(cè)可靠性的固有不足,不利于檢測(cè)質(zhì)量控制。
2)與“中心透照”工藝相比,“單壁單影”工藝和“偏心透照”工藝的功效低,相同主管道焊縫其檢測(cè)時(shí)間約為“中心透照”工藝的10倍。
基于此,亟需一種管道焊縫射線檢測(cè)幾何不清晰度控制工藝,以解決上述存在的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
基于以上所述,本發(fā)明的目的在于提供一種管道焊縫射線檢測(cè)幾何不清晰度控制工藝,減少了主管道安裝焊縫的射線檢測(cè)時(shí)間,提高了主管道安裝焊縫的射線檢測(cè)可靠性。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N23-00 利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00組內(nèi)的波或粒子輻射來(lái)測(cè)試或分析材料,例如X射線、中子
G01N23-02 .通過(guò)使輻射透過(guò)材料
G01N23-20 .利用輻射的衍射,例如,用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu);利用輻射的反射
G01N23-22 .通過(guò)測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過(guò)用X射線輻照樣品以及測(cè)量X射線熒光
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