[發(fā)明專利]利用WPE效應(yīng)驗(yàn)證Poly版圖偏移的方法及系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111344884.9
• 申請(qǐng)日: 2021-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN114121703A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 湯茂亮;張昊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司;上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種利用WPE效應(yīng)驗(yàn)證Poly版圖偏移的方法及系統(tǒng)，其中利用WPE效應(yīng)驗(yàn)證Poly版圖偏移的方法包括：判斷多晶硅控制柵偏移的方向；以及獲取多晶硅控制柵偏移的距離，實(shí)現(xiàn)了多晶硅控制柵偏移的精確測(cè)量，以便于通過光學(xué)補(bǔ)償增加偏移修補(bǔ)量，以抵消由于對(duì)準(zhǔn)偏差所以引起的版圖偏移，防止因版圖偏移導(dǎo)致產(chǎn)品存在質(zhì)量問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種利用WPE效應(yīng)驗(yàn)證Poly版圖偏移的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

阱鄰近效應(yīng)(WPE,Well Proximity Effect),在IC制造過程中，在阱離子注入期間，高能摻雜離子在阱光刻膠邊緣散射，并且在形成柵極之前，散射離子被注入MOSFET溝道(如圖1所示)。阱摻雜的橫向不均勻性導(dǎo)致MOSFET閾值電壓和其他電氣特性隨晶體管到阱邊(SC)的距離而變化,這種現(xiàn)象通常被稱為阱鄰近效應(yīng)(WPE)。如圖2所示，隨著晶體管到阱邊(SC)的距離減小，進(jìn)入溝道的散射離子數(shù)量增加，因此Vt將增加，Ids將減少。

版圖產(chǎn)生偏移可能是由于對(duì)準(zhǔn)偏差引起的。對(duì)準(zhǔn)偏差可能來源于掩模變形或比例不正常、晶圓本身的變形、光刻機(jī)投影透鏡系統(tǒng)的失真、晶圓工件臺(tái)移動(dòng)的不均勻等。版圖的偏移會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的質(zhì)量存在問題。

因此，基于上述技術(shù)問題需要設(shè)計(jì)一種新的利用WPE效應(yīng)驗(yàn)證Poly版圖偏移的方法及系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種利用WPE效應(yīng)驗(yàn)證Poly版圖偏移的方法及系統(tǒng)。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種驗(yàn)證Poly版圖偏移的方法，包括：

判斷多晶硅控制柵偏移的方向；以及

獲取多晶硅控制柵偏移的距離。

進(jìn)一步，所述判斷多晶硅控制柵偏移的方向的方法為：判斷多晶硅控制柵相對(duì)于有源區(qū)的偏移方向。

進(jìn)一步，所述判斷多晶硅控制柵相對(duì)于有源區(qū)的偏移方向中，多晶硅控制柵包括四個(gè)相同的晶體管：T1、T2、T3和T4；

其中晶體管T1與晶體管T3在一直線上，晶體管T2與晶體管T4在另一直線上，并且晶體管T1和晶體管T3所在的直線與晶體管T2和晶體管T4所在的直線垂直；以及

四個(gè)晶體管中心對(duì)稱；

各晶體管均設(shè)置有對(duì)應(yīng)的有源區(qū)。

進(jìn)一步，所述判斷多晶硅控制柵偏移的方向時(shí)，有源區(qū)寬度W與晶體管寬度L的比為1：1。

進(jìn)一步，所述判斷多晶硅控制柵相對(duì)于有源區(qū)的偏移方向的方法包括：

當(dāng)T1的電流大于T3的電流且T2的電流等于T4的電流時(shí)，晶體管T3實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc31小于晶體管T1實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc11，此時(shí)多晶硅控制柵相對(duì)于有源區(qū)沿T1向T3的方向偏移，并且晶體管T3實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc31為sc31＝sc31₀-DL1，晶體管T1實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc11為sc11＝sc11₀+DL1；

當(dāng)T1的電流小于T3的電流且T2的電流等于T4的電流時(shí)，晶體管T3實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc31大于晶體管T1實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc11，此時(shí)多晶硅控制柵相對(duì)于有源區(qū)沿T3向T1的方向偏移，并且晶體管T3實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc31為sc31＝sc31₀+DL1，晶體管T1實(shí)際與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離sc11為sc11＝sc11₀-DL1；

其中，sc31₀為標(biāo)準(zhǔn)版圖中晶體管T3與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離；sc11₀為標(biāo)準(zhǔn)版圖中晶體管T1與對(duì)應(yīng)阱邊之間的距離；DL1為多晶硅控制柵相對(duì)于有源區(qū)在T3與T1所在直線上偏移的距離。