[發明專利]利用WPE效應驗證Poly版圖偏移的方法及系統

在審

• 申請號: 202111344884.9
• 申請日: 2021-11-15
• 公開（公告）號: CN114121703A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 湯茂亮;張昊
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種驗證Poly版圖偏移的方法，其特征在于，包括：

判斷多晶硅控制柵偏移的方向；以及

獲取多晶硅控制柵偏移的距離。

2.如權利要求1所述的驗證Poly版圖偏移的方法，其特征在于，

所述判斷多晶硅控制柵偏移的方向的方法為：判斷多晶硅控制柵相對于有源區的偏移方向。

3.如權利要求2所述的驗證Poly版圖偏移的方法，其特征在于，

所述判斷多晶硅控制柵相對于有源區的偏移方向中，多晶硅控制柵包括四個相同的晶體管：T1、T2、T3和T4；

其中晶體管T1與晶體管T3在一直線上，晶體管T2與晶體管T4在另一直線上，并且晶體管T1和晶體管T3所在的直線與晶體管T2和晶體管T4所在的直線垂直；以及

四個晶體管中心對稱；

各晶體管均設置有對應的有源區。

4.如權利要求3所述的驗證Poly版圖偏移的方法，其特征在于，

所述判斷多晶硅控制柵偏移的方向時，有源區寬度W與晶體管寬度L的比為1：1。

5.如權利要求4所述的驗證Poly版圖偏移的方法，其特征在于，

所述判斷多晶硅控制柵相對于有源區的偏移方向的方法包括：

當T1的電流大于T3的電流且T2的電流等于T4的電流時，晶體管T3實際與對應阱邊之間的距離sc31小于晶體管T1實際與對應阱邊之間的距離sc11，此時多晶硅控制柵相對于有源區沿T1向T3的方向偏移，并且晶體管T3實際與對應阱邊之間的距離sc31為sc31＝sc31₀-DL1，晶體管T1實際與對應阱邊之間的距離sc11為sc11＝sc11₀+DL1；

當T1的電流小于T3的電流且T2的電流等于T4的電流時，晶體管T3實際與對應阱邊之間的距離sc31大于晶體管T1實際與對應阱邊之間的距離sc11，此時多晶硅控制柵相對于有源區沿T3向T1的方向偏移，并且晶體管T3實際與對應阱邊之間的距離sc31為sc31＝sc31₀+DL1，晶體管T1實際與對應阱邊之間的距離sc11為sc11＝sc11₀-DL1；

其中，sc31₀為標準版圖中晶體管T3與對應阱邊之間的距離；sc11₀為標準版圖中晶體管T1與對應阱邊之間的距離；DL1為多晶硅控制柵相對于有源區在T3與T1所在直線上偏移的距離。

6.如權利要求5所述的驗證Poly版圖偏移的方法，其特征在于，

所述判斷多晶硅控制柵相對于有源區的偏移方向的方法還包括：

當T2的電流大于T4的電流且T1的電流等于T3的電流時，晶體管T4實際與對應阱邊之間的距離sc41小于晶體管T2實際與對應阱邊之間的距離sc21，此時多晶硅控制柵相對于有源區沿T2向T4的方向偏移，并且晶體管T4實際與對應阱邊之間的距離sc41為sc41＝sc41₀-DL2，晶體管T2實際與對應阱邊之間的距離sc21為sc21＝sc21₀+DL2；

當T2的電流小于T4的電流且T1的電流等于T3的電流時，晶體管T4實際與對應阱邊之間的距離sc41大于晶體管T2實際與對應阱邊之間的距離sc21，此時多晶硅控制柵相對于有源區沿T4向T2的方向偏移，并且晶體管T4實際與對應阱邊之間的距離sc41為sc41＝sc41₀+DL2，晶體管T2實際與對應阱邊之間的距離sc21為sc21＝sc21₀-DL2；

其中，sc41₀為標準版圖中晶體管T4與對應阱邊之間的距離；sc21₀為標準版圖中晶體管T2與對應阱邊之間的距離；DL2為多晶硅控制柵相對于有源區在T2與T4所在直線上偏移的距離。