[發(fā)明專(zhuān)利]芯片轉(zhuǎn)移方法、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111340702.0
• 申請(qǐng)日: 2021-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114171545A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴廣超;馬非凡;曹進(jìn);趙世雄;王子川
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281
• 代理人: 李發(fā)兵

本發(fā)明涉及一種芯片轉(zhuǎn)移方法、顯示面板及顯示裝置，其中，芯片轉(zhuǎn)移方法通過(guò)在粘附有發(fā)光芯片的第一基板上依次形成犧牲層單元和支撐層，其次將支撐層與第二基板固定連接，最后去除第一基板、犧牲層單元以及支撐層的其中一部分，從而可得到由空腔和側(cè)壁構(gòu)成的弱化結(jié)構(gòu)。此弱化結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程較簡(jiǎn)便且穩(wěn)定可靠，不受發(fā)光芯片正面的遮擋，借助此弱化結(jié)構(gòu)，可以穩(wěn)定地支撐發(fā)光芯片。那么，從第二基板上拾取發(fā)光芯片時(shí)，通過(guò)施加少許外力即可將此弱化結(jié)構(gòu)中的側(cè)壁扯斷，實(shí)現(xiàn)芯片轉(zhuǎn)移。通過(guò)本發(fā)明制作的弱化結(jié)構(gòu)輔助發(fā)光芯片的轉(zhuǎn)移，操作簡(jiǎn)便，降低了轉(zhuǎn)移難度，可提升轉(zhuǎn)移良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片轉(zhuǎn)移方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

目前，微米發(fā)光二極管(Micro LED，簡(jiǎn)稱(chēng)微型LED)的開(kāi)發(fā)已經(jīng)提到發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱(chēng)LED)行業(yè)上中下游的未來(lái)規(guī)劃中，Micro LED由于其自發(fā)光、高效率、低功耗、高集成、高穩(wěn)定性、發(fā)光角度大等優(yōu)良特性，已然成為下一代主流顯示技術(shù)的重要選擇。相比于液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱(chēng)OLED)，盡管Micro LED具有很大的優(yōu)勢(shì)，但是現(xiàn)階段開(kāi)發(fā)Micro LED還有許多技術(shù)瓶頸有待突破，由于Micro LED芯片尺寸較小，巨量轉(zhuǎn)移是限制其發(fā)展的重要技術(shù)關(guān)卡。

對(duì)于紅藍(lán)綠Micro LED芯片，由于芯片保留有襯底，芯片制程最大的挑戰(zhàn)在于切割。采用激光劃片機(jī)在晶圓(Wafer)內(nèi)部隱形切割出裂紋，然后用裂片機(jī)將芯片劈開(kāi)，從而得到一顆顆獨(dú)立的LED芯片。隨著芯片尺寸越來(lái)越小，裂片時(shí)良率也隨之下降，Micro LED基本無(wú)法切割，也就無(wú)法實(shí)現(xiàn)芯片轉(zhuǎn)移。

因此，如何實(shí)現(xiàn)LED芯片便捷、高效的轉(zhuǎn)移是亟需解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述相關(guān)技術(shù)的不足，本申請(qǐng)的目的在于提供一種芯片轉(zhuǎn)移方法、顯示面板及顯示裝置，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中，芯片轉(zhuǎn)移難度大及轉(zhuǎn)移良率低的問(wèn)題。

一種芯片轉(zhuǎn)移方法，包括：

在第一基板上的各發(fā)光芯片的頂面上，分別形成將所述頂面及所述頂面上設(shè)置的電極覆蓋的犧牲層單元；其中，所述發(fā)光芯片的底面為與所述頂面相對(duì)的一面，且貼合在所述第一基板上；

在所述第一基板上形成將各所述發(fā)光芯片的側(cè)面及各所述犧牲層單元覆蓋的支撐層；

將各所述發(fā)光芯片、各所述犧牲層單元隨所述支撐層轉(zhuǎn)移至第二基板，將相鄰所述發(fā)光芯片之間的所述支撐層進(jìn)行至少部分去除，并去除各所述犧牲層單元；其中，各所述犧牲層單元所占用的空間形成空腔，相鄰所述發(fā)光芯片之間所剩余的所述支撐層形成所述空腔的側(cè)壁，以形成弱化結(jié)構(gòu)；

從所述第二基板上拾取所述發(fā)光芯片，通過(guò)控制所述第二基板上與被拾取的所述發(fā)光芯片對(duì)應(yīng)的所述弱化結(jié)構(gòu)發(fā)生斷裂，使得被拾取的所述發(fā)光芯片從所述第二基板上脫離；

將拾取的所述發(fā)光芯片轉(zhuǎn)移至電路背板上。

上述芯片轉(zhuǎn)移方法，通過(guò)在粘附有發(fā)光芯片的第一基板上依次形成犧牲層單元和支撐層，其次將支撐層與第二基板固定連接，最后去除第一基板、犧牲層單元以及支撐層的其中一部分，從而可得到由空腔和側(cè)壁構(gòu)成的弱化結(jié)構(gòu)。此弱化結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程較簡(jiǎn)便且穩(wěn)定可靠，不受發(fā)光芯片正面的遮擋，借助此弱化結(jié)構(gòu)，可以穩(wěn)定地支撐發(fā)光芯片。那么，從第二基板上拾取發(fā)光芯片時(shí)，通過(guò)施加少許外力即可將此弱化結(jié)構(gòu)中的側(cè)壁扯斷，實(shí)現(xiàn)芯片轉(zhuǎn)移。通過(guò)本發(fā)明制作的弱化結(jié)構(gòu)輔助發(fā)光芯片的轉(zhuǎn)移，操作簡(jiǎn)便，降低了轉(zhuǎn)移難度，可提升轉(zhuǎn)移良率。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請(qǐng)還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括電路背板和設(shè)置在所述電路背板上的多個(gè)發(fā)光芯片；其中，各所述發(fā)光芯片通過(guò)如上所述的芯片轉(zhuǎn)移方法轉(zhuǎn)移至所述電路背板上。