[發明專利]芯片轉移方法、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202111340702.0
• 申請日: 2021-11-12
• 公開（公告）號: CN114171545A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 戴廣超;馬非凡;曹進;趙世雄;王子川
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

1.一種芯片轉移方法，其特征在于，包括：

在第一基板上的各發光芯片的頂面上，分別形成將所述頂面及所述頂面上設置的電極覆蓋的犧牲層單元；其中，所述發光芯片的底面為與所述頂面相對的一面，且貼合在所述第一基板上；

在所述第一基板上形成將各所述發光芯片的側面及各所述犧牲層單元覆蓋的支撐層；

將各所述發光芯片、各所述犧牲層單元隨所述支撐層轉移至第二基板；

將相鄰所述發光芯片之間的所述支撐層進行至少部分去除，并去除各所述犧牲層單元；其中，各所述犧牲層單元所占用的空間形成空腔，相鄰所述發光芯片之間所剩余的所述支撐層形成所述空腔的側壁，以形成弱化結構；

從所述第二基板上拾取所述發光芯片，通過控制所述第二基板上與被拾取的所述發光芯片對應的所述弱化結構斷裂，使得被拾取的所述發光芯片從所述第二基板上脫離；

將拾取的所述發光芯片轉移至電路背板上。

2.如權利要求1所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述在第一基板上的各發光芯片的頂面上，分別形成將所述頂面及所述頂面上設置的電極覆蓋的犧牲層單元，包括：

先在各所述發光芯片的所述頂面上及所述第一基板承載有所述發光芯片的表面上沉積一犧牲層，再圖案化所述犧牲層以形成所述犧牲層單元；

或者，

在各所述發光芯片的所述頂面上分別進行點膠，以形成所述犧牲層單元。

3.如權利要求1所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述將相鄰所述發光芯片之間的所述支撐層進行至少部分去除，并去除各所述犧牲層單元，包括：

圖案化所述支撐層，以露出各所述犧牲層單元的部分側面以及形成所述側壁；再去除各所述犧牲層單元以形成所述空腔。

4.如權利要求3所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述犧牲層單元的材質為熱解膠；

所述去除各所述犧牲層單元以形成所述空腔，包括：

對所述第二基板加熱，使得各所述犧牲層單元在受熱后進行熱解，以形成所述空腔。

5.如權利要求3或4所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述圖案化所述支撐層，以露出各所述犧牲層單元的部分側面以及形成所述側壁包括：

設定所述支撐層被去除的厚度大于所述發光芯片的厚度與所述犧牲層單元的厚度之和。

6.如權利要求5所述的芯片轉移方法，其特征在于，設定所述支撐層被去除的厚度等于所述支撐層的厚度。

7.如權利要求1-4任一項所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述支撐層的材質為氧化硅或氮化硅；

所述將各所述發光芯片、各所述犧牲層單元隨所述支撐層轉移至第二基板包括：

將所述第一基板上設有所述支撐層的一面與所述第二基板上設有鍵合層的一面對位貼合；

將所述支撐層鍵合于所述第二基板上；

去除所述第一基板。

8.如權利要求7所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述鍵合層的材質為銅或鎳。

9.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括電路背板和設置在所述電路背板上的多個發光芯片；其中，各所述發光芯片通過如權利要求1-8任一項所述的芯片轉移方法轉移至所述電路背板上。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求9所述的顯示面板。