[發明專利]封裝方法

在審

• 申請號: 202111338313.4
• 申請日: 2018-08-06
• 公開（公告）號: CN114050113A
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 石虎;劉孟彬
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 吳凡;高靜

1.一種封裝方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成膠粘層；

提供若干個芯片，所述芯片上形成有鍵合層；

將所述芯片置于所述基板上，使得鍵合層與膠粘層相對設置，實現芯片和基板的鍵合。

2.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，將所述芯片置于所述基板上后，還包括：對所述基板和芯片進行預鍵合處理。

3.如權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述預鍵合處理的工藝為熱壓鍵合或加壓鍵合。

4.如權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述預鍵合處理的工藝為熱壓鍵合，所述預鍵合處理的步驟包括：對所述芯片和基板中的至少一個進行第一加壓處理，且在進行所述第一加壓處理的同時，對所述芯片和所述基板進行第一加熱處理。

5.如權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，在所述第一加壓處理的步驟中，對所述芯片背向所述基板的表面進行所述第一加壓處理；在所述第一加熱處理的步驟中，對所述芯片背向所述基板的表面、以及所述基板背面進行所述第一加熱處理。

6.如權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，對所述基板和芯片進行預鍵合處理的步驟中，所述預鍵合處理的工藝時間為1秒至30秒，所述第一加壓處理的壓力為100牛頓至400牛頓，所述第一加熱處理的工藝溫度為150攝氏度至250攝氏度。

7.如權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述預鍵合處理的步驟還包括：在所述第一加壓處理和第一加熱處理之前，進行第一抽真空處理，使所述預鍵合處理的工藝壓強達到預設壓強。

8.如權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，對所述基板和芯片進行預鍵合處理的步驟中，所述預設壓強為5千帕至一個標準大氣壓。

9.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法還包括：在所述基板上形成封裝層，所述封裝層覆蓋所述若干芯片和基板表面。

10.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝層的形成方法包括：

提供薄膜型封裝材料；

將所述芯片置于所述基板上后，將所述薄膜型封裝材料置于所述若干個芯片上，使所述基板和所述若干個芯片通過鍵合層和膠粘層實現鍵合，并使所述封裝材料填充于所述若干個芯片之間且覆蓋所述芯片側壁，以及所述若干個芯片和基板之間且覆蓋所述若干個芯片，所述封裝材料用于作為封裝層。

11.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，采用熱壓合工藝使所述基板和所述若干個芯片通過鍵合層和膠粘層實現鍵合，所述熱壓合工藝后的所述封裝材料用于作為所述封裝層，所述熱壓合工藝的步驟包括：

將所述封裝材料置于所述若干個芯片上后，進行第二抽真空處理和第二加熱處理，使所述熱壓合工藝的工藝壓強達到預設壓強，使所述熱壓合工藝的工藝溫度達到預設溫度；

在所述預設壓強和預設溫度下，對所述基板和封裝材料進行第二加壓處理至預設時間，使所述封裝材料填充于所述若干個芯片和基板之間且覆蓋所述芯片，并使所述基板和所述若干個芯片實現鍵合；

在所述預設壓強和預設溫度下進行所述第二加壓處理后，在所述預設溫度下，對所述封裝材料進行熱固化處理，形成所述封裝層。

12.如權利要求11所述的封裝方法，其特征在于，所述熱壓合工藝為熱壓成型工藝或熱壓貼附工藝。

13.如權利要求11所述的封裝方法，其特征在于，在所述熱壓合工藝的步驟中，所述預設壓強為5千帕至15千帕，所述預設溫度為120攝氏度至180攝氏度，所述第二加壓處理的壓力為0.1兆帕至10兆帕，所述預設時間為30秒至60秒，所述熱固化處理的工藝時間為300秒至600秒。