[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111335128.X
• 申請(qǐng)日: 2020-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN114050156A
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴惠先;林昭維;朱家儀;童宇誠;呂前宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 鄭星

本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器。針對(duì)邊緣位置的第一位線，使其靠近記憶體區(qū)的一側(cè)設(shè)置有第一絕緣接觸柱，以及靠近周邊區(qū)的一側(cè)設(shè)置有第二絕緣接觸柱，從而使第一絕緣接觸柱和對(duì)應(yīng)的有源區(qū)(即，位于邊緣位置的有源區(qū))之間為電性絕緣，進(jìn)而使得所形成的位于邊緣位置的存儲(chǔ)單元構(gòu)成非功能性存儲(chǔ)單元。如此，即避免了邊緣位置的非功能性存儲(chǔ)單元由于其性能異常而對(duì)存儲(chǔ)器的器件性能造成不利影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種存儲(chǔ)器。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory， DRAM)，其通常具有存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列中包括多個(gè)呈陣列式排布的存儲(chǔ)單元。以及，所述存儲(chǔ)器還具有多條位線，每一位線分別與相應(yīng)的存儲(chǔ)單元電性連接，并且所述存儲(chǔ)器還包括存儲(chǔ)電容器，所述存儲(chǔ)電容器用于存儲(chǔ)代表存儲(chǔ)信息的電荷，以及所述存儲(chǔ)單元可通過一節(jié)點(diǎn)接觸部電性連接所述存儲(chǔ)電容器，從而實(shí)現(xiàn)各個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)功能。

目前，基于現(xiàn)有的半導(dǎo)體制備工藝，在制備存儲(chǔ)單元陣列時(shí)位于邊緣位置的存儲(chǔ)單元容易有性能不足的問題，從而使得整個(gè)存儲(chǔ)器的器件性能容易受到影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)器，以解決現(xiàn)有的存儲(chǔ)器其邊緣位置的存儲(chǔ)器容易出現(xiàn)性能不足，從而影響存儲(chǔ)器性能的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器，包括：

襯底，所述襯底上定義有記憶體區(qū)和周邊區(qū)，所述周邊區(qū)位于所述記憶體區(qū)的外側(cè)，以及所述襯底的所述記憶體區(qū)中形成有多個(gè)有源區(qū)；

位線組，形成在所述襯底的所述記憶體區(qū)中，所述位線組包括多條沿著預(yù)定方向延伸的位線，所述位線與所述多個(gè)有源區(qū)中對(duì)應(yīng)的有源區(qū)相交，以及所述位線組中排布在邊緣位置的位線構(gòu)成第一位線，所述位線組中位于所述第一位線遠(yuǎn)離周邊區(qū)一側(cè)的位線構(gòu)成第二位線；以及，

在所述第一位線靠近所述第二位線的一側(cè)設(shè)置有第一絕緣接觸柱，在所述第一位線遠(yuǎn)離所述第二位線的一側(cè)上設(shè)置有第二絕緣接觸柱，所述第一絕緣接觸柱形成在記憶體區(qū)中并和相接觸的有源區(qū)電性絕緣，所述第二絕緣接觸柱形成在周邊區(qū)中，并且所述第一絕緣接觸柱的頂表面還高于所述第二絕緣接觸柱的頂表面。

可選的，所述存儲(chǔ)器還包括隔離層，所述隔離層覆蓋所述位線的頂表面，以及所述隔離層中覆蓋在所述第一位線上的部分構(gòu)成第一隔離部。

可選的，所述第一絕緣接觸柱的頂表面與所述第一隔離部的頂表面齊平，所述第二絕緣接觸柱的頂表面低于所述第一隔離部的頂表面。

可選的，在所述第一絕緣接觸柱的頂表面上還形成有第一電性傳導(dǎo)層，所述第一電性傳導(dǎo)層覆蓋所述第一絕緣接觸柱的頂表面并往遠(yuǎn)離所述第二位線的方向橫向延伸至所述第一隔離部上。

可選的，所述第一隔離部中被所述第一電性傳導(dǎo)層覆蓋的第一部分高出于所述第一隔離部中未被所述第一電性傳導(dǎo)層覆蓋的第二部分，所述第一部分的側(cè)壁和所述第二部分的頂表面連接而呈現(xiàn)為臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。

可選的，所述存儲(chǔ)器還包括間隔絕緣層，所述間隔絕緣層中形成在第一隔離部上的部分構(gòu)成間隔側(cè)墻，所述間隔側(cè)墻形成在所述第二部分的頂表面上并覆蓋所述第一部分的側(cè)壁。

可選的，在所述第二位線的至少一側(cè)邊上設(shè)置有第二接觸部，所述第二接觸部包括導(dǎo)電接觸層和第二電性傳導(dǎo)層，所述導(dǎo)電接觸層形成在所述襯底上并和相接觸的有源區(qū)電性連接，所述第二電性傳導(dǎo)層形成在所述導(dǎo)電接觸層上。

可選的，所述第二接觸部的所述導(dǎo)電接觸層的頂表面低于所述位線的頂表面。

可選的，所述第二電性傳導(dǎo)層形成在所述導(dǎo)電接觸層上并沿著高度方向向上延伸，以使所述第二電性傳導(dǎo)層的頂表面和所述第一電性傳導(dǎo)層的頂表面齊平。