[發明專利]存儲器

在審

• 申請號: 202111335128.X
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN114050156A
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 賴惠先;林昭維;朱家儀;童宇誠;呂前宏
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 鄭星

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上定義有記憶體區和周邊區，所述周邊區位于所述記憶體區的外側，以及所述襯底的所述記憶體區中形成有多個有源區；

位線組，形成在所述襯底的所述記憶體區中，所述位線組包括多條沿著預定方向延伸的位線，所述位線與所述多個有源區中對應的有源區相交，以及所述位線組中排布在邊緣位置的位線構成第一位線，所述位線組中位于所述第一位線遠離周邊區一側的位線構成第二位線；以及，

在所述第一位線靠近所述第二位線的一側設置有第一絕緣接觸柱，在所述第一位線遠離所述第二位線的一側上設置有第二絕緣接觸柱，所述第一絕緣接觸柱形成在記憶體區中并和相接觸的有源區電性絕緣，所述第二絕緣接觸柱形成在周邊區中，并且所述第一絕緣接觸柱的頂表面還高于所述第二絕緣接觸柱的頂表面。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括隔離層，所述隔離層覆蓋所述位線的頂表面，以及所述隔離層中覆蓋在所述第一位線上的部分構成第一隔離部。

3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述第一絕緣接觸柱的頂表面與所述第一隔離部的頂表面齊平，所述第二絕緣接觸柱的頂表面低于所述第一隔離部的頂表面。

4.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，在所述第一絕緣接觸柱的頂表面上還形成有第一電性傳導層，所述第一電性傳導層覆蓋所述第一絕緣接觸柱的頂表面并往遠離所述第二位線的方向橫向延伸至所述第一隔離部上。

5.如權利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述第一隔離部中被所述第一電性傳導層覆蓋的第一部分高出于所述第一隔離部中未被所述第一電性傳導層覆蓋的第二部分，所述第一部分的側壁和所述第二部分的頂表面連接而呈現為臺階狀結構。

6.如權利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括間隔絕緣層，所述間隔絕緣層中形成在第一隔離部上的部分構成間隔側墻，所述間隔側墻形成在所述第二部分的頂表面上并覆蓋所述第一部分的側壁。

7.如權利要求4所述的存儲器，其特征在于，在所述第二位線的至少一側邊上設置有第二接觸部，所述第二接觸部包括導電接觸層和第二電性傳導層，所述導電接觸層形成在所述襯底上并和相接觸的有源區電性連接，所述第二電性傳導層形成在所述導電接觸層上。

8.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述第二接觸部的所述導電接觸層的頂表面低于所述位線的頂表面。

9.如權利要求8所述的存儲器，其特征在于，所述第二電性傳導層形成在所述導電接觸層上并沿著高度方向向上延伸，以使所述第二電性傳導層的頂表面和所述第一電性傳導層的頂表面齊平。

10.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述隔離層中覆蓋在所述第二位線上的部分構成第二隔離部，并且所述第二接觸部的頂表面高出于所述第二隔離部的頂表面。

11.如權利要求10所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括間隔絕緣層，所述間隔絕緣層形成在所述隔離層上，其中所述間隔絕緣層中形成在第二隔離部上的部分構成間隔填充部，所述間隔填充部形成在相鄰的第二接觸部之間，以及所述間隔填充部還形成在所述第一絕緣接觸柱和所述第二接觸部之間。

12.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述周邊區與所述記憶體區相接的區域中形成有溝槽隔離結構，所述第二絕緣接觸柱與溝槽隔離結構相接觸。

13.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一位線的寬度尺寸大于所述第二位線的寬度尺寸。