[發明專利]蝕刻液組合物及顯示面板在審
| 申請號: | 202111330687.1 | 申請日: | 2021-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN114106835A | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發明(設計)人: | 李恩慶;康明倫 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | C09K13/12 | 分類號: | C09K13/12;H01L21/3213 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 組合 顯示 面板 | ||
本發明公開了一種蝕刻液組合物及顯示面板。蝕刻液組合物包括氧化劑、膜層損傷防止劑以及蝕刻調整劑,其中,氧化劑的重量分數為8%~25%,且氧化劑包括硫酸和硝酸。本發明提供的蝕刻液組合物中采用硫酸和硝酸作為氧化劑,在提高蝕刻液組合物的蝕刻性能的同時,還可以降低蝕刻液對被蝕刻物的損傷,以提高蝕刻良率。
技術領域
本發明涉及顯示制程技術領域,尤其涉及一種蝕刻液組合物及采用該蝕刻液組合物制得的顯示面板。
背景技術
液晶顯示裝置(liquid crystal display device,LCD device)具有根據出色的分辨率提供清晰影像、低耗電、使顯示屏面板薄化的特性,在平板顯示裝置中最受關注。作為驅動這種液晶顯示裝置的電子回路,最具代表性的是薄膜晶體管(thin filmtransistor,TFT)電路,由典型的薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD)器件構成了顯示畫面的像素(pixel)。在TFT-LCD器件中,作為開關器件作用的TFT是在以矩陣形態排列的TFT用基板和與其基板相對的彩色過濾膜基板之間填充液晶而制作成的。TFT-LCD整體制造工藝大致分為TFT基板制造工藝、彩色過濾膜工藝、cell工藝和模組工藝,為了顯示精準而清晰的影像,TFT基板和彩色過濾膜制造工藝尤其重要。
TFT-LCD裝置的像素顯示電極制造需要具有透明光學特性,并且導電性強的物質薄膜,目前以氧化銦(Indium Oxide)為基礎的氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)和氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)作為透明導電膜的材料而使用。要想在像素顯示的電極上體現出所希望的電路線路,就需要按照電路紋路將薄膜層蝕刻(Etching)的過程。
目前,常用王水(aqua regia,HCl+CH3COOH+HNO3)、鹽酸二價鐵(III)的鹽酸溶液(FeCl3/HCl)、磷酸(H3PO4)或氫溴酸(HBr)作為透明導電膜的濕式蝕刻液,若使用王水系蝕刻液或鹽酸二價鐵的鹽酸溶液來蝕刻ITO膜,雖然價格低廉,但線路的側面更容易被蝕刻,會導致形貌不良,且作為主要成分的鹽酸或硝酸易揮發,隨著時間的流逝,蝕刻液組成物的變化幅度較大。另外,磷酸具有鋁腐蝕和高粘性、高單價的問題;氫溴酸具有高單價和劇毒性的問題。也有利用蓚酸(Oxalic Acid)蝕刻非晶體ITO(amorphous Indium Tin Oxide)的情況,但這種情況下,ITO膜周圍容易發生殘留,而且在低溫時蓚酸的溶解度較低,會有析出物掉出,可能會導致蝕刻設備出現故障。
發明內容
本發明實施例提供一種蝕刻液組合物及顯示面板,能夠提高蝕刻液組合物的蝕刻良率。
本發明實施例提供一種蝕刻液組合物,所述蝕刻液組合物包括氧化劑、膜層損傷防止劑以及蝕刻調整劑,其中,所述氧化劑的重量分數為8%~25%,且所述氧化劑包括硫酸和硝酸。
在本發明的一種實施例中,所述硫酸為主氧化劑,且所述硫酸的重量分數為5%~15%,所述硝酸為輔助氧化劑,且所述硝酸的重量分數為3%~10%。
在本發明的一種實施例中,所述膜層損傷防止劑包括環狀胺類化合物,且所述膜層損傷防止劑的重量分數為0.01%~1%。
在本發明的一種實施例中,所述膜層損傷防止劑包括取代或未取代的吡咯、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的三唑、取代或未取代的四唑、取代或未取代的五唑、取代或未取代的噁唑、取代或未取代的異唑、取代或未取代的噻唑以及取代或未取代的異噻唑中的至少一者。
在本發明的一種實施例中,所述膜層損傷防止劑為甲基苯并三氮唑鈉。
在本發明的一種實施例中,所述蝕刻調整劑包括含有銨離子的化合物,且所述蝕刻調整劑的重量分數為0.1%~5%。
在本發明的一種實施例中,所述蝕刻調整劑包括硝酸銨、乙酸銨、檸檬酸銨、硫酸銨、磷酸銨以及氯化銨中的至少一者。
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