[發(fā)明專利]一種發(fā)光測(cè)試控制電路以及顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111328720.7
• 申請(qǐng)日: 2021-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN114068521A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬盼盼;高琳華;何國(guó)冰;馬志麗;朱正勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

本發(fā)明公開了一種發(fā)光測(cè)試控制電路以及顯示面板，該發(fā)光測(cè)試控制電路包括：晶體管以及與晶體管對(duì)應(yīng)設(shè)置的靜電泄放單元，晶體管包括第一極、第二極和第三極；靜電泄放單元包括半導(dǎo)體電阻層和離子注入阻擋層的疊層，離子注入阻擋層用于阻止離子注入至半導(dǎo)體電阻層內(nèi)，半導(dǎo)體電阻層用于電連接第三極和第一極。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，提高了發(fā)光測(cè)試控制電路的溫度穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光測(cè)試控制電路以及顯示面板。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的發(fā)光測(cè)試控制電路的晶體管可能在晶體管制備工作過程中，以及后續(xù)工藝過程中由于靜電荷而損壞，導(dǎo)致用于發(fā)光測(cè)試的控制電路的溫度穩(wěn)定性不佳。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的是提出一種發(fā)光測(cè)試控制電路以及顯示面板，以提高用于發(fā)光測(cè)試的控制電路的溫度穩(wěn)定性。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光測(cè)試控制電路，包括：晶體管以及與所述晶體管對(duì)應(yīng)設(shè)置的靜電泄放單元，所述晶體管包括第一極、第二極和第三極；靜電泄放單元包括半導(dǎo)體電阻層和離子注入阻擋層的疊層，所述離子注入阻擋層用于阻止離子注入至所述半導(dǎo)體電阻層內(nèi)，所述半導(dǎo)體電阻層用于連接所述第三極和所述第一極。

該技術(shù)方案，半導(dǎo)體電阻層等效為電阻用于連接第三極和第一極，半導(dǎo)體電阻層可以實(shí)現(xiàn)減少晶體管內(nèi)的靜電荷的作用，從而可以避免晶體管被靜電荷損壞。靜電泄放單元包括半導(dǎo)體電阻層和離子注入阻擋層的疊層，離子注入阻擋層用于阻止離子注入至半導(dǎo)體電阻層內(nèi)，避免了半導(dǎo)體電阻層的電阻值因未設(shè)置離子注入阻擋層而注入離子導(dǎo)致電阻值降低的問題，本申請(qǐng)通過疊層設(shè)置的離子注入阻擋層增加了半導(dǎo)體電阻層的電阻值，尤其是增加了溫度升高之后，半導(dǎo)體電阻層的電阻值，避免了因注入離子后電阻值降低第三極和第一極導(dǎo)通之后，導(dǎo)致第三極接收的測(cè)試控制信號(hào)從第三極傳輸?shù)降谝粯O的情況，使得晶體管在測(cè)試控制信號(hào)的控制下，可以實(shí)現(xiàn)將發(fā)光測(cè)試信號(hào)通過源極由第二極提供給數(shù)據(jù)線，進(jìn)而提高了用于發(fā)光測(cè)試的控制電路的溫度穩(wěn)定性。此外，上述技術(shù)方案增加了半導(dǎo)體電阻層的電阻值，還可以增大靜電泄放單元傳輸大電流的能力，進(jìn)而提高了靜電荷的泄放能力。

可選地，所述晶體管還包括半導(dǎo)體有源層，所述半導(dǎo)體電阻層和所述半導(dǎo)體有源層位于同一層，所述離子注入阻擋層用于阻擋所述半導(dǎo)體有源層摻雜的離子注入至所述半導(dǎo)體電阻層內(nèi)，以使所述半導(dǎo)體電阻層的離子摻雜濃度小于所述半導(dǎo)體有源層的離子摻雜濃度。

該技術(shù)方案，半導(dǎo)體電阻層和晶體管的半導(dǎo)體有源層位于同一層，在通過離子注入工藝對(duì)半導(dǎo)體有源層進(jìn)行離子摻雜時(shí)，離子注入阻擋層可以阻止離子注入至半導(dǎo)體電阻層內(nèi)，從而增加了半導(dǎo)體電阻層的電阻值，尤其是增加了溫度升高之后半導(dǎo)體電阻層的電阻值，避免了第三極和第一極導(dǎo)通之后，導(dǎo)致第三極接收的測(cè)試控制信號(hào)從第三極傳輸?shù)降谝粯O的情況，使得晶體管在測(cè)試控制信號(hào)的控制下，可以實(shí)現(xiàn)將發(fā)光測(cè)試信號(hào)通過第一極由第二極提供給數(shù)據(jù)線，進(jìn)而提高了用于發(fā)光測(cè)試的控制電路的溫度穩(wěn)定性。此外，上述技術(shù)方案增加了半導(dǎo)體電阻層的電阻值，還可以增大靜電泄放單元傳輸大電流的能力，進(jìn)而提高了靜電荷的泄放能力。

可選地，所述離子注入阻擋層和所述第三極位于同一層。

該技術(shù)方案，離子注入阻擋層和第三極位于同一層，可以在第三極制作的同時(shí)完成對(duì)于離子注入阻擋層的制作，簡(jiǎn)化可工藝條件，降低了制作成本。

可選地，所述離子注入阻擋層部分覆蓋所述半導(dǎo)體電阻層。

可選地，所述離子注入阻擋層全部覆蓋所述半導(dǎo)體電阻層。

該技術(shù)方案，可以限定離子注入阻擋層部分覆蓋半導(dǎo)體電阻層，還可以限定離子注入阻擋層全部覆蓋半導(dǎo)體電阻層，以控制在通過離子注入工藝對(duì)半導(dǎo)體有源層進(jìn)行離子摻雜時(shí)，離子注入阻擋層阻止離子注入至半導(dǎo)體電阻層內(nèi)的效果，進(jìn)而控制半導(dǎo)體電阻層的電阻值的大小。

可選地，所述靜電泄放單元還包括絕緣間隔層，所述絕緣間隔層位于所述半導(dǎo)體電阻層和離子注入阻擋層之間。