[發(fā)明專利]一種發(fā)光測(cè)試控制電路以及顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111328720.7
• 申請(qǐng)日: 2021-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN114068521A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬盼盼;高琳華;何國冰;馬志麗;朱正勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，包括：

晶體管以及與所述晶體管對(duì)應(yīng)連接的靜電泄放單元，所述晶體管包括第一極、第二極和第三極；

靜電泄放單元包括半導(dǎo)體電阻層和離子注入阻擋層的疊層，所述離子注入阻擋層用于阻止離子注入至所述半導(dǎo)體電阻層內(nèi)，所述半導(dǎo)體電阻層用于連接所述第三極和所述第一極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，所述晶體管還包括半導(dǎo)體有源層，所述半導(dǎo)體電阻層和所述半導(dǎo)體有源層位于同一層，所述離子注入阻擋層用于阻擋所述半導(dǎo)體有源層摻雜的離子注入至所述半導(dǎo)體電阻層內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，所述離子注入阻擋層和所述第三極位于同一層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，所述離子注入阻擋層部分覆蓋或者全部覆蓋所述半導(dǎo)體電阻層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，所述靜電泄放單元還包括絕緣間隔層，所述絕緣間隔層位于所述半導(dǎo)體電阻層和離子注入阻擋層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，所述離子注入阻擋層包括導(dǎo)電層；

所述離子注入阻擋層用于通過導(dǎo)電連接端輸入電位控制信號(hào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，還包括第三極連接層，所述第三極連接層連接所述第三極和所述半導(dǎo)體電阻層；

所述第三極連接層的電阻率小于所述第三極的電阻率；

優(yōu)選地，所述第三極連接層和所述第一極位于同一層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，還包括第一極連接層，所述第一極連接層用于連接所述第一極和所述半導(dǎo)體電阻層；

優(yōu)選地，所述第一極連接層和所述第一極位于同一層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的發(fā)光測(cè)試控制電路，其特征在于，所述第一極為源極，所述第二極為漏極，所述第三極為柵極。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一所述的發(fā)光測(cè)試控制電路。