[發明專利]基于發泡熔滲工藝制備AgNi電接觸材料的方法及其產品有效
| 申請號: | 202111328302.8 | 申請日: | 2021-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN114086014B | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發明(設計)人: | 林旭彤;孔欣;費家祥;郭仁杰;崔永剛;宋林云;萬岱;宋振陽;劉映飛 | 申請(專利權)人: | 浙江福達合金材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C22C1/04 | 分類號: | C22C1/04;C22C5/06;H01H1/023;B22F1/102;B22F3/04;B22F3/10;B22F3/11;B22F3/26;B22F5/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 發泡 工藝 制備 agni 接觸 材料 方法 及其 產品 | ||
本發明公開了一種基于發泡熔滲工藝制備AgNi電接觸材料的方法及其產品,其技術方案在AgNi混合粉料中加入發泡劑燒結強化,將燒結強化的AgNi粉體包裹隔離劑燒結到液相以上再進行破碎篩分,獲得高強度多孔AgNi粉體,將多孔AgNi粉體等靜壓制成特殊柱狀多孔骨架錠子,再將純銀片擺在骨架上方裝入石墨坩堝中,在高溫下對骨架錠子進行熔滲,獲得高銀含量低電阻率的AgNi/Ag復合錠子,將錠子擠壓成薄帶最后沖制成AgNi電接觸材料。本發明同時解決了薄帶復合擠壓問題及低鎳高銀AgNi電接觸只能采用固相燒結工藝制作的問題,與固相燒結工藝相比具備更高的致密度、抗燒損能力,電壽命等使用性能獲得大幅提升。
技術領域
本發明涉及電工觸頭材料領域,具體是指一種制備AgNi電接觸材料的方法及其產品,該工藝利用了全新的發泡熔滲工藝進行制備。
背景技術
AgNi電接觸材料在斷路器、微型斷路器、漏電保護開關、接觸器、繼電器中均有很多應用,一般采用壓制燒結法或擠壓法,Ni含量介于10wt%-35wt%之間。開關設計中對于開關溫升的要求越來越高,特別是在小微斷路器中Ni含量高于35wt%的材料接觸接觸電阻難以滿足使用要求,而Ni含量低的電接觸材料只能采用固相燒結方式,無法滿足開關抗短路、抗燒損的要求,嚴重制約了產業的發展。
采用粉末冶金工藝制備電接觸材料,眾所周知熔滲工藝才能獲得最理想的材料性能。與固相燒結工藝相比,熔滲工藝制作的材料密度、硬度、導電率、結合強度顯著提升,孔隙率顯著下降;相應的電接觸材料的抗電弧燒損能力、抗機械磨損能力顯著提升。但熔滲工藝制備電接觸材料是,需要材料滿足一定特性才可以實現,無法滿足的條件下只能采用固相燒結的方式制備。電接觸材料需要滿足以下特性采用采用熔滲工藝制備:
1、為保證熔滲后半成品形狀,熔滲過程中骨架內不熔顆粒體積>25%;
2、骨架與熔滲金屬有較好的潤濕性;
3、骨架與熔滲金屬間互不相熔或溶解度小。
AgNi材料在銀含量低于70wt%時輕松滿足上述3個條件,但由于電阻率較高,使用限制多,作為電接觸材料應用場合少。銀含量高的如AgNi10、AgNi15、AgNi20,再如AgNi類其他延伸材料如AgNi10C3、AgNi25C2、AgNi30C3等由于無法滿足熔滲條件(1),均采用固相燒結-復壓工藝或固相燒結擠壓工藝制作。
通過檢索,現有技術有以下文獻:
公開號為CN108531764A的中國發明專利,提供一種AgWCNiC的材料,其中涉及到一種氣壓熔滲工藝,由于未解決熔滲過程中骨架內不熔顆粒體積>25%問題,碳化鎢含量在12wt%-25wt%選用800℃-900℃的固相燒結工藝,在碳化鎢含量>25wt%且含有石墨烯、鎳等選用氣壓熔滲工藝。石墨烯雖然會增加不熔相體積,同時也會增大電阻,同時由于在常壓下用石墨與銀合金不潤濕的特性,燒結的液相溫度后會造成液相滲出,嚴重影響材料結合與電阻率,外壓的介入對結合強度不良有一定改善,但無法完全避免。而熔滲溫度為980℃-1100℃,氣體壓力為100MPa-1GPa的工藝條件必須借助熱等靜壓機才能實現,工藝成本過高。
公開號為CN112501464A的中國發明專利,提供一種熔滲法AgNi的制造工藝,但由于未從根本上解決高銀含量AgNi熔滲時骨架塌方、破裂問題,此方案只提供了AgNi材料內Ni含量體積含量高于45%的熔滲方案,即Ni質量百分比高于40%的熔滲技術方案,未解決Ni質量百分比低于40%的熔滲技術問題。但AgNi40材料應用范圍小,目前AgNi主流產品仍為AgNi10-AgNi30。
公開號為CN104209520A的中國發明專利,在粉體中加入聚丙烯酸酯造孔劑的方式增加孔隙,此方法制作的粉體強度低在制作AgNi30及Ni含量更高的AgNi材料時可以滿足生產要求,在制作Ni含量低于30%的AgNi材料時,熔滲過程中會因孔隙劇烈變形造成骨架塌方甚至炸裂無法成型。同理采用此方式制作高銀的AgNi材料是也會存在熔滲時骨架塌方甚至炸裂無法成型的問題。
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