[發(fā)明專利]有晶體眼人工晶體植入的術(shù)后拱高預(yù)測方法及電子設(shè)備

在審

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• 申請日: 2021-11-10
• 公開（公告）號: CN113886996A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張君;鄭歷
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州明視康眼科醫(yī)院有限公司
• 主分類號: G06F30/17
• 分類號: G06F30/17;G06F30/20;G06Q10/04
• 代理公司: 浙江永航聯(lián)科專利代理有限公司 33304
• 代理人: 黃麗珍

本發(fā)明提供了一種有晶體眼人工晶體植入的術(shù)后拱高預(yù)測方法及電子設(shè)備，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中后房型有晶體眼ICL植入術(shù)后拱高過高或不足等問題。所述術(shù)后拱高預(yù)測方法在獲得待矯正晶狀體厚度及待矯正晶狀體對應(yīng)的水平溝到溝和垂直溝到溝數(shù)值后，再采集預(yù)設(shè)ICL晶體的直徑和軸位，根據(jù)所獲得的數(shù)據(jù)依次計(jì)算ICL晶體所在軸位的有效溝到溝數(shù)值、晶體厚度影響因子和拱起弦高，并最終預(yù)測拱高；再判斷當(dāng)前采用的ICL晶體直徑和軸位是否滿足拱高要求來確定ICL晶體尺寸。本發(fā)明提高了ICL晶體植入術(shù)后的拱高預(yù)測準(zhǔn)確度及精度，從而提高晶體位置預(yù)估準(zhǔn)確度和精度，降低術(shù)后并發(fā)癥的發(fā)生，并同時(shí)提高臨床操作的便捷性，提升ICL手術(shù)的安全性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于人工晶體及屈光矯正領(lǐng)域，具體涉及一種有晶體眼人工晶體植入的術(shù)后拱高預(yù)測方法、晶體尺寸確定方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

后房型有晶體眼人工晶體植入手術(shù)是一種置于后房的可植入式隱形眼鏡(Implantable Collamer Lens，ICL)人工晶狀體植入手術(shù)，可有效、安全地矯正各種屈光不正。通過上述方式進(jìn)行屈光矯正時(shí)，ICL后表面和自然晶狀體前表面之間的距離稱為拱高，這一參數(shù)與術(shù)后并發(fā)癥密切相關(guān)，是分類手術(shù)成功與否的關(guān)鍵參數(shù)。拱高不足(＜90μm)可能增加白內(nèi)障形成的風(fēng)險(xiǎn)，而拱高過大(＞1000μm)可能導(dǎo)致前房角(ACA)閉合、色素播散、瞳孔阻滯或內(nèi)皮細(xì)胞損傷。為避免ICL植入后的并發(fā)癥，選擇合適的ICL尺寸并達(dá)到拱頂?shù)陌踩绞侵饕蛩亍?/p>

現(xiàn)有技術(shù)中，依然存在術(shù)后拱高過高或不足等問題，可選擇二次手術(shù)的方式進(jìn)行拱高調(diào)整，通過ICL旋轉(zhuǎn)或ICL置換進(jìn)行第二次手術(shù)以調(diào)整拱高的比率約為0.8％。但二次手術(shù)會(huì)數(shù)倍增加患者的身體負(fù)擔(dān)，且ICL更換難度系數(shù)增加，不容易更換，增加手術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中后房型有晶體眼ICL植入術(shù)后拱高過高或不足等問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有晶體眼人工晶體植入的術(shù)后拱高預(yù)測ZZ ICL Vault Formula方法、晶體尺寸確定方法及電子設(shè)備，提高ICL晶體植入術(shù)后的晶體位置預(yù)估準(zhǔn)確度和精度，降低術(shù)后并發(fā)癥的發(fā)生，并同時(shí)提高臨床操作的便捷性，提升ICL手術(shù)的安全性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有晶體眼人工晶體植入的術(shù)后拱高預(yù)測方法，包括如下步驟：

步驟S1，獲得待矯正晶狀體厚度LT；

步驟S2，獲得待矯正晶狀體對應(yīng)的水平溝到溝STSH和垂直溝到溝STSV數(shù)值；

步驟S3，采集預(yù)設(shè)ICL晶體尺寸，包括ICL晶體直徑ICL Size和軸位ICL Ax；

步驟S4，根據(jù)STSH和STSV，通過式(1)或(2)計(jì)算ICL晶體所在軸位的有效溝到溝STS數(shù)值：

當(dāng)ICL Ax≤90時(shí)，

STS＝STSH-(STSH-STSV)×sinICL Ax×1586.5÷1555 (1)；

當(dāng)ICL Ax＞90時(shí)，

STS＝STSH-(STSH-STSV)×sin(180-ICL Ax)×1586.5÷1555 (2)；

步驟S5，根據(jù)LT，通過式(3)計(jì)算晶體厚度影響因子LTF：

LTF＝LT÷10+0.16 (3)；

步驟S6，根據(jù)ICL Size和STS，通過式(4)計(jì)算拱起弦高h(yuǎn)：

h＝(ICLSize-STS)^0.7 (4)；

步驟S7，根據(jù)h和LTF，通過式(5)計(jì)算拱高Vault；