[發(fā)明專利]有晶體眼人工晶體植入的術(shù)后拱高預(yù)測方法及電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111324593.3
• 申請日: 2021-11-10
• 公開（公告）號: CN113886996A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張君;鄭歷
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州明視康眼科醫(yī)院有限公司
• 主分類號: G06F30/17
• 分類號: G06F30/17;G06F30/20;G06Q10/04
• 代理公司: 浙江永航聯(lián)科專利代理有限公司 33304
• 代理人: 黃麗珍

1.一種有晶體眼人工晶體植入的術(shù)后拱高預(yù)測方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，獲得待矯正晶狀體厚度LT；

步驟S2，獲得待矯正晶狀體對應(yīng)的水平溝到溝STSH和垂直溝到溝STSV數(shù)值；

步驟S3，采集預(yù)設(shè)ICL晶體尺寸，包括ICL晶體直徑ICL Size和軸位ICL Ax；

步驟S4，根據(jù)STSH和STSV，通過式(1)或(2)計(jì)算ICL晶體所在軸位的有效溝到溝STS數(shù)值：

當(dāng)ICL Ax≤90時(shí)，

STS＝STSH-(STSH-STSV)×sin ICL Ax×1586.5÷1555 (1)；

當(dāng)ICL Ax＞90時(shí)，

STS＝STSH-(STSH-STSV)×sin(180-ICL Ax)×1586.5÷1555 (2)；

步驟S5，根據(jù)LT，通過式(3)計(jì)算晶體厚度影響因子LTF：

LTF＝LT÷10+0.16 (3)；

步驟S6，根據(jù)ICL Size和STS，通過式(4)計(jì)算拱起弦高h(yuǎn)：

h＝(ICL Size-STS)^0.7 (4)；

步驟S7，根據(jù)h和LTF，通過式(5)計(jì)算拱高Vault；

Vault＝h-LTF (5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的術(shù)后拱高預(yù)測方法，其特征在于，所述STSH和STSV通過超聲生物顯微鏡UBM或生物測量儀檢查獲得。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的術(shù)后拱高預(yù)測方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的ICL晶體尺寸，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和/或STSH、STSV和LT數(shù)據(jù)進(jìn)行選擇。

4.一種有晶體眼人工晶體植入的晶體尺寸確定方法，其特征在于，包括：

步驟S1，獲得待矯正晶狀體厚度LT；

步驟S2，獲得待矯正晶狀體對應(yīng)的水平溝到溝STSH和垂直溝到溝STSV數(shù)值；

步驟S3，采集預(yù)設(shè)ICL晶體尺寸，包括ICL晶體直徑ICL Size和軸位ICL Ax；

步驟S4，根據(jù)STSH和STSV，通過式(1)或(2)計(jì)算ICL晶體所在軸位的有效溝到溝STS數(shù)值：

當(dāng)ICL Ax≤90時(shí)，

STS＝STSH-(STSH-STSV)×sin ICL Ax×1586.5÷1555 (1)；

當(dāng)ICL Ax＞90時(shí)，

STS＝STSH-(STSH-STSV)×sin(180-ICL Ax)×1586.5÷1555 (2)；

步驟S5，根據(jù)LT，通過式(3)計(jì)算晶體厚度影響因子LTF：

LTF＝LT÷10+0.16 (3)；

步驟S6，根據(jù)ICL Size和STS，通過式(4)計(jì)算拱起弦高h(yuǎn)：

h＝(ICL Size-STS)^0.7 (4)；

步驟S7，根據(jù)h和LTF，通過式(5)計(jì)算拱高Vault；

Vault＝h-LTF (5)；

步驟S8，判斷Vault是否達(dá)到閾值；若Vault未達(dá)到閾值，則更新ICL晶體直徑ICL Size和軸位ICL Ax，轉(zhuǎn)入步驟S4；若Vault達(dá)到閾值，則輸出當(dāng)前ICL Size和軸位ICL Ax。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的術(shù)后拱高預(yù)測方法，其特征在于，所述閾值為一個(gè)點(diǎn)值或一個(gè)范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的術(shù)后拱高預(yù)測方法，其特征在于，所述閾值為0.5～1.0；當(dāng)Vault落入閾值范圍內(nèi)時(shí)，為達(dá)到閾值。