[發明專利]多線TRL校準件的制備方法及多線TRL校準件

在審

• 申請號: 202111284366.2
• 申請日: 2021-11-01
• 公開（公告）號: CN114114119A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 王一幫;梁法國;吳愛華;霍曄;欒鵬;劉晨;孫靜;徐森鋒
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 彭競馳

1.一種多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，多線TRL校準件包括一個直通、與所述直通的橫截面相同且不同長度的多個傳輸線以及反射，所述反射包括兩個開路或者兩個短路，所述多線TRL校準件的制備方法包括：

獲取襯底參數和所述襯底上設置的金屬的參數，根據所述襯底參數和所述金屬參數，得到傳輸線橫截面尺寸，所述襯底參數包括襯底厚度和襯底介電常數，所述金屬參數包括金屬的電導率和金屬厚度；

根據所述傳輸線橫截面尺寸，確定多個不同長度的傳輸線；

根據所述傳輸線橫截面尺寸，確定開路的橫截面尺寸或者短路的橫截面尺寸；

根據所述多個不同長度的傳輸線、所述開路的橫截面尺寸或者所述短路的橫截面尺寸進行半導體工藝加工，得到校準件；

對所述校準件中的直通、傳輸線和反射進行參數標定，得到多線TRL校準件。

2.根據權利要求1所述的多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，所述兩個開路的金屬片尺寸保持一致，或者所述兩個短路的金屬片尺寸保持一致；

所述根據所述傳輸線橫截面尺寸，確定開路或者短路，包括：

將所述傳輸線的寬度，確定為所述開路或者所述短路的寬度，將所述傳輸線的長度確定為所述開路或者所述短路的長度；

根據所述開路或者所述短路的寬度，確定構成所述開路或者所述短路的兩片金屬之間的距離。

3.根據權利要求1所述的多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，對所述校準件中的直通的參數標定方式與傳輸線的參數標定方式相同；

對所述校準件中的傳輸線進行參數標定，包括：

獲取所述傳輸線的長度；

根據確定所述傳輸線的相速；

其中，v_p表示所述傳輸線的相速，l表示所述傳輸線的長度，ε_eff表示有效介電常數，c表示光在真空中的傳播速度。

4.根據權利要求1所述的多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，對所述校準件中的反射進行參數標定，包括：

將所述校準件中的所述兩個開路或者兩個短路的結構設置為對稱結構；

延時設置為0ps。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，在所述獲取襯底參數和所述襯底上設置的金屬的參數，根據所述襯底參數和所述金屬參數，得到傳輸線橫截面尺寸之后，還包括：

當所述橫截面尺寸滿足預設校準件頻率要求時，對所述橫截面尺寸進行優化，得到最優橫截面尺寸；

基于所述最優橫截面尺寸設置多組傳輸線，確定所述多組傳輸線中特征阻抗與預設阻抗值最接近的目標傳輸線。

6.根據權利要求5所述的多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，所述對所述橫截面尺寸進行優化，得到最優橫截面尺寸，包括：

將所述橫截面尺寸在第一預設步進范圍內變化，得到多組橫截面尺寸；

對所述多組橫截面尺寸、預設長度的傳輸線進行仿真，將所有傳輸線中S₁₁最小值對應的橫截面尺寸確定為最優橫截面尺寸。

7.根據權利要求6所述的多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，所述基于所述最優橫截面尺寸設置多組傳輸線，確定所述多組傳輸線中特征阻抗與預設阻抗值最接近的目標傳輸線，包括：

將所述最優橫截面尺寸在第二預設步進范圍內變化，得到多組最優橫截面尺寸，并基于所述多組最優橫截面尺寸和每組最優橫截面尺寸對應的至少一個個長度進行不同的傳輸線版圖加工；

采用預設電阻對傳輸線特征阻抗進行標定；

基于傳輸線版圖和預設電阻，測量每根傳輸線的特征阻抗，確定與所述預設電阻的阻抗值最接近的特征阻抗對應的傳輸線為目標傳輸線。

8.根據權利要求5所述的多線TRL校準件的制備方法，其特征在于，判斷所述橫截面尺寸滿足預設校準件頻率要求的方法，包括：

根據所述橫截面尺寸計算校準件頻率；

當所述校準件頻率大于或等于所述預設校準件頻率時，確定所述橫截面尺寸滿足預設校準件頻率要求。