[發(fā)明專利]波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu)、方法及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111265586.0 | 申請日: | 2021-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN114050407B | 公開(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳鵬;袁斌;喻忠軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院;廣東大灣區(qū)空天信息研究院 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q21/00;H01P7/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 樊曉 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波導(dǎo) 模式 激勵 結(jié)構(gòu) 方法 及其 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu)、方法及其應(yīng)用。該波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu)包括:第一金屬層、介質(zhì)層和第二金屬層,其中,貫穿介質(zhì)層形成有過孔;第一金屬層,包括平面?zhèn)鬏斁€、短路末端;介質(zhì)層,位于所述第一金屬層上側(cè);第二金屬層,位于所述介質(zhì)層上側(cè),包括耦合窗口,其中,所述耦合窗口的內(nèi)側(cè)邊緣靠近所述短路末端;其中,所述耦合窗口內(nèi)部包括U形膜片和緊耦合枝節(jié)陣列,所述U形膜片的開口側(cè)朝向所述平面?zhèn)鬏斁€,所述緊耦合枝節(jié)陣列位于所述U形膜片的開口側(cè)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及無線雷達(dá)通信領(lǐng)域,具體涉及波導(dǎo)傳輸激勵結(jié)構(gòu)領(lǐng)域,尤其涉及一種波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu)、方法及其應(yīng)用。
背景技術(shù)
近年來,由于對高速無線通信的需求不斷增長,新的頻率資源正在被開發(fā)。在射頻前端中起關(guān)鍵作用的太赫茲單片微波集成電路(MMIC)也得到了大量的研究。共面波導(dǎo)(CPW)作為MMIC的關(guān)鍵電路特性之一,廣泛應(yīng)用于平面微波電路中,具有較低的高頻輻射損耗。CPW典型的變形是加上一個額外的底部接地面,稱為接地共面波導(dǎo)(GCPW),可以提供與其他電路和組件更好的集成。另一方面,矩形波導(dǎo)喇叭天線以其結(jié)構(gòu)簡單、性能好、交極化率低、頻帶寬等優(yōu)點在高增益太赫茲天線中得到了廣泛的應(yīng)用。矩形波導(dǎo)與平面?zhèn)鬏斁€之間互連的插入損耗高,微組裝過程復(fù)雜,降低了太赫茲收發(fā)器和天線的性能,限制了太赫茲技術(shù)的應(yīng)用。
傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)傳輸主模激勵結(jié)構(gòu)的方法有多種,主要包括探針、脊波導(dǎo)過渡和縫隙耦合。微帶探針是目前最常用的激勵結(jié)構(gòu),四分之一波長短路波導(dǎo)必不可少,以提高帶寬和過渡效率,但增加了太赫茲波段微組裝過程的復(fù)雜性。另一種類似的激勵結(jié)構(gòu)采用波導(dǎo)金屬脊?jié)u變結(jié)構(gòu),金屬脊必須安裝在波導(dǎo)內(nèi)部,在毫米波太赫茲頻段應(yīng)用中,制備和微組裝復(fù)雜,難度大。縫隙耦合激勵方式利用地面上的縫隙將電磁場從GCPW耦合到矩形波導(dǎo),當(dāng)激勵用于寬帶應(yīng)用時,結(jié)構(gòu)的輻射損失明顯。因此在太赫茲頻段,需要開發(fā)一種降低微組裝難度以及損耗低的矩形波導(dǎo)傳輸主模的激勵結(jié)構(gòu),實現(xiàn)太赫茲GCPW平面電路與波導(dǎo)器件的高效率傳輸。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提供一種波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu)、方法及其應(yīng)用,以期至少部分地解決上述提及的技術(shù)問題中的至少之一。
為了實現(xiàn)上述目的,作為本發(fā)明的一個方面的實施例,提供了一種波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu),包括:第一金屬層、介質(zhì)層和第二金屬層,其中,貫穿介質(zhì)層形成有過孔;其中,第一金屬層包括平面?zhèn)鬏斁€、短路末端,其中,短路末端形成于平面?zhèn)鬏斁€的第一側(cè),平面?zhèn)鬏斁€的第二側(cè)與平面?zhèn)鬏斁€的第一側(cè)相對應(yīng),位于第一金屬層的邊緣;介質(zhì)層位于第一金屬層上側(cè);第二金屬層位于介質(zhì)層上側(cè),包括耦合窗口,其中,所述耦合窗口的內(nèi)側(cè)邊緣靠近短路末端;其中,所述耦合窗口內(nèi)部包括U形膜片和緊耦合枝節(jié)陣列,U形膜片的開口側(cè)朝向平面?zhèn)鬏斁€,緊耦合枝節(jié)陣列位于U形膜片的開口側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,其中,U形膜片與耦合窗口整體貼合,且關(guān)于平面?zhèn)鬏斁€左右對稱。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,其中,緊耦合枝節(jié)陣列包括多個緊耦合枝節(jié),多個緊耦合枝節(jié)沿著緊耦合枝節(jié)的長邊方向以相同的距離錯開;以及多個緊耦合枝節(jié)的個數(shù)大于等于3,且緊耦合枝節(jié)陣列關(guān)于平面?zhèn)鬏斁€左右對稱。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu)還包括短路過孔,短路過孔貫穿介質(zhì)層,與U形膜片的未開口側(cè)接觸,且位于平面?zhèn)鬏斁€的中心軸延長線上,短路過孔為金屬化過孔。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,波導(dǎo)模式激勵結(jié)構(gòu)還包括波導(dǎo),其中,耦合窗口的尺寸與波導(dǎo)的尺寸相同,波導(dǎo)與耦合窗口垂直端接。
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