[發明專利]高純鍺探測器

在審

• 申請號: 202111259821.3
• 申請日: 2021-10-28
• 公開（公告）號: CN113985471A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 李玉蘭;李元景
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;G01T7/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張琛

1.一種高純鍺探測器，其特征在于，包括：

探測器本體；

探測器殼體，所述探測器殼體設置在所述探測器本體的外側，且與所述探測器本體間隔開，以形成第一真空腔；

制冷組件，所述制冷組件包括內殼和設置在所述內殼外側的外殼，所述內殼和外殼間隔開以形成第二真空腔，所述內殼限定出容納液氮的容納腔，所述外殼與所述探測器殼體固定連接，其中

所述第一真空腔與所述第二真空腔通過封堵組件間隔。

2.根據權利要求1所述的高純鍺探測器，其特征在于，還包括冷指，所述冷指的一端伸入到所述第一真空腔內與所述探測器本體連接，所述冷指的另一端穿過所述封堵組件并伸入到所述容納腔內，與所述內殼焊接。

3.根據權利要求2所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述冷指構造為L型，包括：

第一段，所述第一段的一端伸入到所述第一真空腔內與所述探測器本體連接，所述第一段的另一端伸入到所述容納腔內，并在第一方向上延伸；以及

第二段，所述第二段的一端與所述第一段連接，所述第二段的另一端在第二方向上延伸，并與所述內殼的側壁焊接。

4.根據權利要求2所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述冷指構造為Z型，包括：

第三段，所述第三段的一端伸入到所述第一真空腔內與所述探測器本體連接，所述第三段的另一端伸入到所述容納腔內，并在第一方向上延伸；

第四段，所述第四段的一端與所述第三段連接，所述第四段的另一端在第二方向上延伸；以及

第五段，所述第五段的一端與所述第四段連接，所述第五段的另一端在第一方向上延伸，并與所述內殼的底壁焊接。

5.根據權利要求2-4中任一項所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述封堵組件，包括：

封堵管，所述封堵管的兩端分別固定在所述外殼和所述內殼上；以及

封堵塞，所述封堵塞與所述封堵管的管徑過盈配合，所述冷指的另一端穿過所述封堵塞并伸入到所述容納腔內。

6.根據權利要求5所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述封堵管構造為波紋管。

7.根據權利要求1所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述內殼和所述外殼之間設置有支撐件，所述支撐件的一端固定在所述內殼上，所述支撐件的另一端固定在所述外殼上。

8.根據權利要求7所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述支撐件設置有多個，多個所述支撐件的一端彼此靠近，多個所述支撐件的另一端彼此遠離。

9.根據權利要求8所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述支撐件構造為凱夫拉線。

10.根據權利要求1所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述制冷組件還包括輸液管路，所述輸液管路的進液端設置在所述外殼上與外部連通，所述輸液管路的出液端設置在所述內殼上與所述容納腔連通。

11.根據權利要求10所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述輸液管路構造為U型，以增加所述進液端到所述出液端之間的路徑距離。

12.根據權利要求11所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述輸液管路的壁厚小于0.5mm。

13.根據權利要求1所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述制冷組件還包括吸附層，所述吸附層設置在所述第二真空腔內，以吸附所述第二真空腔內的殘余氣體。

14.根據權利要求1所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述制冷組件還包括真空多層，所述真空多層設置在所述內殼的外壁上，用以防熱輻射。

15.根據權利要求14所述的高純鍺探測器，其特征在于，所述真空多層包括反光層和絕熱層，所述反光層和所述絕熱層均設置有多個，多個所述反光層和多個所述絕熱層在所述內殼的徑向方向上交替設置。