[發明專利]高純鍺探測器

在審

• 申請號: 202111259821.3
• 申請日: 2021-10-28
• 公開（公告）號: CN113985471A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 李玉蘭;李元景
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;G01T7/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張琛

本申請公開了一種高純鍺探測器，包括：探測器本體；探測器殼體，探測器殼體設置在探測器本體的外側，且與探測器本體間隔開，以形成第一真空腔；制冷組件，制冷組件包括內殼和設置在內殼外側的外殼，內殼和外殼間隔開以形成第二真空腔，內殼限定出容納液氮的容納腔，外殼與探測器殼體固定連接，其中第一真空腔與第二真空腔通過封堵組件間隔。本申請的高純鍺探測器，將制冷組件與高純鍺探測器集成于一體，通過封堵組件將探測器本體的第一真空腔和制冷組件的第二真空腔分隔開，形成兩個獨立的真空腔室，既可以避免制冷組件內部材料釋放的物質污染探測器本體內的核心部件，又可以對兩個獨立的真空腔室進行單獨維護。

技術領域

本申請涉及探測器技術領域，尤其涉及一種高純鍺探測器。

背景技術

由于高純鍺晶體本身的特性，高純鍺探測器往往需要在一個低溫(低于100K)以及高靜態真空的裝置中工作，現有液氮制冷技術中使用的杜瓦包括普通實驗室中的中型杜瓦和可移動地小型杜瓦兩種，可與高純鍺探測器搭配使用，但高純鍺探測器與杜瓦集成度低，不便于戶外使用。

發明內容

本申請的實施例旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。

為此，本申請提供了一種高純鍺探測器，包括：探測器本體；探測器殼體，所述探測器殼體設置在所述探測器本體的外側，且與所述探測器本體間隔開，以形成第一真空腔；制冷組件，所述制冷組件包括內殼和設置在所述內殼外側的外殼，所述內殼和外殼間隔開以形成第二真空腔，所述內殼限定出容納液氮的容納腔，所述外殼與所述探測器殼體固定連接，其中所述第一真空腔與所述第二真空腔通過封堵組件間隔。

根據本申請的高純鍺探測器，將制冷組件與高純鍺探測器集成于一體，便于使用者攜帶使用，通過封堵組件將探測器本體的第一真空腔和制冷組件的第二真空腔分隔開，形成兩個獨立的真空腔室，既可以避免制冷組件內部材料釋放的物質污染探測器本體內的核心部件，以維持高純鍺探測器的性能指標，又可以對兩個獨立的真空腔室進行單獨維護，提升了高純鍺探測器的可維護性。

進一步地，還包括冷指，所述冷指的一端伸入到所述第一真空腔內與所述探測器本體連接，所述冷指的另一端穿過所述封堵組件并伸入到所述容納腔內，與所述內殼焊接。

進一步地，所述冷指構造為L型，包括：第一段，所述第一段的一端伸入到所述第一真空腔內與所述探測器本體連接，所述第一段的另一端伸入到所述容納腔內，并在第一方向上延伸；以及第二段，所述第二段的一端與所述第一段連接，所述第二段的另一端在第二方向上延伸，并與所述內殼的側壁焊接。

進一步地，所述冷指構造為Z型，包括：第三段，所述第三段的一端伸入到所述第一真空腔內與所述探測器本體連接，所述第三段的另一端伸入到所述容納腔內，并在第一方向上延伸；第四段，所述第四段的一端與所述第三段連接，所述第四段的另一端在第二方向上延伸；以及第五段，所述第五段的一端與所述第四段連接，所述第五段的另一端在第一方向上延伸，并與所述內殼的底壁焊接。

進一步地，所述封堵組件，包括：封堵管，所述封堵管的兩端分別固定在所述外殼和所述內殼上；以及封堵塞，所述封堵塞與所述封堵管的管徑過盈配合，所述冷指的另一端穿過所述封堵塞并伸入到所述容納腔內。

進一步地，所述封堵管構造為波紋管。

進一步地，所述內殼和所述外殼之間設置有支撐件，所述支撐件的一端固定在所述內殼上，所述支撐件的另一端固定在所述外殼上。

進一步地，所述支撐件設置有多個，多個所述支撐件的一端彼此靠近，多個所述支撐件的另一端彼此遠離。

進一步地，所述支撐件構造為凱夫拉線。

進一步地，所述制冷組件還包括輸液管路，所述輸液管路的進液端設置在所述外殼上與外部連通，所述輸液管路的出液端設置在所述內殼上與所述容納腔連通。