[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111256976.1 | 申請(qǐng)日： | 2021-10-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114664820A | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭秀珍;金奇奐;張星旭;曹榮大 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/088 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 器件 | ||
一種集成電路(IC)器件包括在襯底上在第一橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸的鰭型有源區(qū)。納米片在垂直方向上與鰭型有源區(qū)的鰭頂表面分開(kāi)。內(nèi)絕緣間隔物位于襯底與納米片之間。柵極線包括主柵極部分和子?xùn)艠O部分。主柵極部分在納米片上在第二橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸。子?xùn)艠O部分一體地連接至主柵極部分，并且位于襯底與納米片之間。源極/漏極區(qū)與內(nèi)絕緣間隔物和納米片接觸。源極/漏極區(qū)包括單晶半導(dǎo)體主體和從內(nèi)絕緣間隔物穿過(guò)單晶半導(dǎo)體主體線性地延伸的至少一個(gè)下堆垛層錯(cuò)面。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
通過(guò)引用將于2020年12月23日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的題為“IntegratedCircuit Device”(集成電路器件)的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2020-0182425全部結(jié)合于本申請(qǐng)中。
技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施例涉及集成電路(IC)器件。
背景技術(shù)
隨著集成電路器件(IC器件)的小型化發(fā)展，不僅確保IC器件的高運(yùn)行速度而且還保證其運(yùn)行準(zhǔn)確度已經(jīng)變得至關(guān)重要。
發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例針對(duì)一種集成電路器件，其包括：鰭型有源區(qū)，所述鰭型有源區(qū)在襯底上在第一橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸；納米片，所述納米片在垂直方向上設(shè)置在與所述鰭型有源區(qū)的鰭頂表面分開(kāi)的位置處，并且面向所述鰭頂表面；內(nèi)絕緣間隔物，所述內(nèi)絕緣間隔物位于所述襯底與所述納米片之間；柵極線，所述柵極線包括主柵極部分和子?xùn)艠O部分，所述主柵極部分在所述納米片上在第二橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸，所述子?xùn)艠O部分一體地連接至所述主柵極部分并且位于所述襯底與所述納米片之間，其中，所述第二橫向方向與所述第一橫向方向相交；以及源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極區(qū)在所述第一橫向方向上面對(duì)所述子?xùn)艠O部分并且所述內(nèi)絕緣間隔物位于所述源極/漏極區(qū)和所述子?xùn)艠O部分之間，所述源極/漏極區(qū)與所述內(nèi)絕緣間隔物和所述納米片接觸，所述源極/漏極區(qū)包括單晶半導(dǎo)體主體和從所述內(nèi)絕緣間隔物穿過(guò)所述單晶半導(dǎo)體主體朝向所述源極/漏極區(qū)的內(nèi)部線性地延伸的至少一個(gè)下堆垛層錯(cuò)面。
實(shí)施例針對(duì)一種集成電路器件，其包括：鰭型有源區(qū)，所述鰭型有源區(qū)在襯底上在第一橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸；源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極區(qū)位于所述鰭型有源區(qū)上；第一納米片堆疊件和第二納米片堆疊件，所述第一納米片堆疊件和所述第二納米片堆疊件位于所述鰭型有源區(qū)的鰭頂表面上，所述第一納米片堆疊件和所述第二納米片堆疊件在所述第一橫向方向上彼此分開(kāi)并且所述源極/漏極區(qū)位于它們之間，所述第一納米片堆疊件和所述第二納米片堆疊件均包括在垂直方向上彼此交疊的多個(gè)納米片；第一柵極線，所述第一柵極線在所述鰭型有源區(qū)上圍繞所述第一納米片堆疊件，所述第一柵極線在與所述第一橫向方向相交的第二橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸；第二柵極線，所述第二柵極線在所述鰭型有源區(qū)上圍繞所述第二納米片堆疊件，所述第二柵極線在所述第二橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸；第一絕緣間隔物，所述第一絕緣間隔物位于所述第一柵極線與所述源極/漏極區(qū)之間；以及第二絕緣間隔物，所述第二絕緣間隔物位于所述第二柵極線與所述源極/漏極區(qū)之間。所述源極/漏極區(qū)可以包括單晶半導(dǎo)體主體以及從所述第一絕緣間隔物和所述第二絕緣間隔物穿過(guò)所述單晶半導(dǎo)體主體朝向所述源極/漏極區(qū)的內(nèi)部線性地延伸的多個(gè)堆垛層錯(cuò)面。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
