[發(fā)明專利]集成電路器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111256976.1
• 申請(qǐng)日: 2021-10-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114664820A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭秀珍;金奇奐;張星旭;曹榮大
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/06
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種集成電路器件，所述集成電路器件包括：

鰭型有源區(qū)，所述鰭型有源區(qū)在襯底上在第一橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸；

納米片，所述納米片在垂直方向上設(shè)置在與所述鰭型有源區(qū)的鰭頂表面分開(kāi)的位置處，并且面向所述鰭頂表面；

內(nèi)絕緣間隔物，所述內(nèi)絕緣間隔物位于所述襯底與所述納米片之間；

柵極線，所述柵極線包括主柵極部分和子?xùn)艠O部分，所述主柵極部分在所述納米片上在第二橫向方向上縱長(zhǎng)地延伸，所述子?xùn)艠O部分一體地連接至所述主柵極部分并且位于所述襯底與所述納米片之間，其中，所述第二橫向方向與所述第一橫向方向相交；以及

源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極區(qū)在所述第一橫向方向上面對(duì)所述子?xùn)艠O部分，并且所述內(nèi)絕緣間隔物位于所述源極/漏極區(qū)和所述子?xùn)艠O部分之間，所述源極/漏極區(qū)與所述內(nèi)絕緣間隔物和所述納米片接觸，所述源極/漏極區(qū)包括單晶半導(dǎo)體主體和從所述內(nèi)絕緣間隔物穿過(guò)所述單晶半導(dǎo)體主體朝向所述源極/漏極區(qū)的內(nèi)部線性地延伸的至少一個(gè)下堆垛層錯(cuò)面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述至少一個(gè)下堆垛層錯(cuò)面包括在彼此相交的方向上延伸的第一下堆垛層錯(cuò)面和第二下堆垛層錯(cuò)面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述單晶半導(dǎo)體主體包括摻雜有n型雜質(zhì)的單晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述至少一個(gè)下堆垛層錯(cuò)面包括第一下堆垛層錯(cuò)面，所述第一下堆垛層錯(cuò)面相對(duì)于在所述第一橫向方向上的直線具有50°至60°的角度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述至少一個(gè)下堆垛層錯(cuò)面包括第一下堆垛層錯(cuò)面，所述第一下堆垛層錯(cuò)面相對(duì)于在所述垂直方向上的直線具有30°至40°的角度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述至少一個(gè)下堆垛層錯(cuò)面平行于所述單晶半導(dǎo)體主體的{111}晶面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，所述集成電路器件還包括覆蓋所述柵極線的側(cè)壁的外絕緣間隔物，所述外絕緣間隔物與所述源極/漏極區(qū)接觸，

其中，所述源極/漏極區(qū)還包括從所述外絕緣間隔物向所述源極/漏極區(qū)的內(nèi)部延伸的至少一個(gè)上堆垛層錯(cuò)面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路器件，其中，所述至少一個(gè)上堆垛層錯(cuò)面包括第一上堆垛層錯(cuò)面，所述第一上堆垛層錯(cuò)面相對(duì)于在所述第一橫向方向上的直線具有50°至60°的角度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路器件，其中，所述至少一個(gè)上堆垛層錯(cuò)面包括在彼此相交的方向上延伸的第一上堆垛層錯(cuò)面和第二上堆垛層錯(cuò)面。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路器件，其中，所述至少一個(gè)上堆垛層錯(cuò)面平行于所述單晶半導(dǎo)體主體的{111}晶面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中：

所述納米片和所述襯底均包括硅膜，并且

包括在所述納米片的至少部分區(qū)域中的硅晶格的第一晶格常數(shù)高于包括在所述襯底的至少部分區(qū)域中的硅晶格的第二晶格常數(shù)。