[發明專利]輥到輥原子層沉積裝置

在審

• 申請號: 202111253324.2
• 申請日: 2021-10-27
• 公開（公告）號: CN114908333A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 崔鶴永;金棟元;金相勳;金根植
• 申請（專利權）人: 株式會社奈瑟斯比
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/44;C23C16/54
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;韓明星

本發明涉及一種輥到輥原子層沉積裝置，更詳細而言，涉及一種用于在柔性基板沉積原子層的原子層沉積裝置。根據本發明的實施例的輥到輥原子層沉積裝置包括：外殼，提供保持密閉狀態的內部空間；基板移送組件，配備于外殼的內部空間，并包括多個輥單元；以及氣體供應組件，在借由基板移送組件而移送的柔性的基板的一表面及另一表面沉積原子層，其中，氣體供應組件包括：上部氣體供應模塊，與基板的一表面面對；下部氣體供應模塊，與上部氣體供應模塊將基板置于之間而隔開并與基板的另一表面面對，上部氣體供應模塊及下部氣體供應模塊包括沿著基板的移送方向而布置的至少一個吹掃氣體供應單元、至少一個反應氣體供應單元及至少一個源氣體供應單元。

技術領域

本發明涉及一種原子層沉積裝置，更詳細而言，涉及一種用于在柔性的基板沉積原子層的原子層沉積裝置。

背景技術

通常，作為在半導體基板或玻璃等的基板上沉積預定厚度的薄膜的方法，有如濺鍍(sputtering)等利用物理碰撞的物理氣相沉積法(PVD：physical vapor deposition)和利用化學反應的化學氣相沉積法(CVD：chemical vapor deposition)等。

近來，隨著半導體元件的設計規則(design rule)急劇微細化，要求微細圖案的薄膜，并且形成薄膜的區域的階梯差也變得非常大，因此不僅能夠非常均勻地形成原子層厚度的微細圖案，而且階梯覆蓋性(step coverage)也優異的原子層沉積方法(ALD：atomiclayer deposition)的使用正在增加。

這種原子層沉積方法在利用氣體分子間的化學反應這一點上與一般的化學氣相沉積方法相似。但是，與通常的CVD將向工藝腔室內同時注入多個氣體分子而產生的反應生成物沉積于基板的方式不同，原子層沉積方法的差異在于，將包括一個源物質的氣體注入到工藝腔室內而使其吸附于加熱的基板，之后將包括另一個源物質的氣體注入到工藝腔室，從而在基板表面沉積通過源物質之間的化學反應而產生的生成物。

但是，目前研究的時分方式原子層沉積方法存在生產率較低的問題。

【現有技術文獻】

[專利文獻]

韓國授權專利第10-1902260號(2018年9月19日)

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種在確保高生產率的同時提供高品質的薄膜的原子層沉積裝置。

根據本發明的實施例的一方面的輥到輥原子層沉積裝置包括：外殼，提供保持密閉狀態的內部空間；基板移送組件，配備于所述外殼的所述內部空間，并包括多個輥單元；以及氣體供應組件，在借由所述基板移送組件而移送的柔性的基板的一表面及另一表面沉積原子層，其中，所述氣體供應組件包括：上部氣體供應模塊，與所述基板的一表面面對；下部氣體供應模塊，與所述上部氣體供應模塊將所述基板置于之間而隔開并與所述基板的另一表面面對，所述上部氣體供應模塊及所述下部氣體供應模塊包括沿著所述基板的移送方向而布置的至少一個吹掃氣體供應單元、至少一個反應氣體供應單元及至少一個源氣體供應單元。

并且，所述外殼的所述內部空間的壓力可以形成為大于0.5個大氣壓且小于1.5個大氣壓，并且惰性氣體可以填充有90％以上且小于100％。

并且，所述上部氣體供應模塊及所述下部氣體供應模塊還可以包括：氣體供應模塊主體，形成外形；加熱單元，配備于所述氣體供應模塊主體的內部；抽吸單元，用于吸入剩余源氣體及反應氣體，以所述基板的移送方向為基準，在所述源氣體供應單元及所述反應氣體供應單元的前方及后方可以分別形成有與所述抽吸單元相連接的抽吸流路，以所述基板的移送方向為基準，所述吹掃氣體供應單元的寬度可以形成為大于所述源氣體供應單元或所述反應氣體供應單元的寬度。