[發明專利]輥到輥原子層沉積裝置

在審

• 申請號: 202111253324.2
• 申請日: 2021-10-27
• 公開（公告）號: CN114908333A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 崔鶴永;金棟元;金相勳;金根植
• 申請（專利權）人: 株式會社奈瑟斯比
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/44;C23C16/54
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;韓明星

1.一種輥到輥原子層沉積裝置，包括：

外殼，提供保持密閉狀態的內部空間；

基板移送組件，配備于所述外殼的所述內部空間，并包括多個輥單元；以及

氣體供應組件，在借由所述基板移送組件而移送的柔性的基板的一表面及另一表面沉積原子層，

其中，所述氣體供應組件包括：

上部氣體供應模塊，與所述基板的一表面面對；及

下部氣體供應模塊，與所述上部氣體供應模塊將所述基板置于之間而隔開并與所述基板的另一表面面對，

其中，所述上部氣體供應模塊及所述下部氣體供應模塊包括沿著所述基板的移送方向而布置的至少一個吹掃氣體供應單元、至少一個反應氣體供應單元及至少一個源氣體供應單元。

2.根據權利要求1所述的輥到輥原子層沉積裝置，其特征在于，

所述外殼的所述內部空間的壓力形成為大于0.5個大氣壓且小于1.5個大氣壓，并且惰性氣體填充有90％以上且小于100％。

3.根據權利要求1所述的輥到輥原子層沉積裝置，其特征在于，

所述上部氣體供應模塊及所述下部氣體供應模塊還包括：

氣體供應模塊主體，形成外形；

加熱單元，配備于所述氣體供應模塊主體的內部；及

抽吸單元，用于吸入剩余源氣體及反應氣體，

以所述基板的移送方向為基準，在所述源氣體供應單元及所述反應氣體供應單元的前方及后方分別形成有與所述抽吸單元相連接的抽吸流路，

以所述基板的移送方向為基準，所述吹掃氣體供應單元的寬度形成為大于所述源氣體供應單元或所述反應氣體供應單元的寬度。

4.根據權利要求3所述的輥到輥原子層沉積裝置，其特征在于，

所述吹掃氣體供應單元包括：

吹掃氣體供應單元主體，形成有用于向基板側供應惰性氣體的吹掃氣體供應流路，

其中，在所述吹掃氣體供應單元主體的端部形成有從所述吹掃氣體單元主體的外表面突出的突出部，并且所述突出部的邊緣以圓滑的形狀形成。

5.根據權利要求4所述的輥到輥原子層沉積裝置，其特征在于，

所述突出部的一表面與所述抽吸流路面對。

6.根據權利要求4所述的輥到輥原子層沉積裝置，其特征在于，

所述吹掃氣體供應單元主體配備為與所述氣體供應模塊主體分離的單獨的部件，

所述源氣體供應單元的源氣體供應單元主體及所述反應氣體供應單元的反應氣體供應單元主體與所述氣體供應模塊主體形成為一體，

所述反應氣體供應單元主體及所述源氣體供應單元主體的借由所述加熱單元的熱傳遞效率大于所述吹掃氣體供應單元主體的借由所述加熱單元的熱傳遞效率。

7.根據權利要求6所述的輥到輥原子層沉積裝置，其特征在于，

在所述氣體供應單元布置于所述氣體供應模塊主體的狀態下，所述加熱單元以在外圍包圍所述氣體供應單元的形態埋設于所述氣體供應模塊主體的內部。

8.根據權利要求4所述的輥到輥原子層沉積裝置，其特征在于，

形成于所述吹掃氣體供應單元主體的所述吹掃氣體供應流路的端部與所述基板之間的距離(h₁)形成為小于形成于所述反應氣體供應單元主體或所述源氣體供應單元主體的反應氣體供應流路或源氣體供應流路的端部與所述基板之間的距離(h₂)，

所述反應氣體供應流路或所述源氣體供應流路的所述端部與所述基板之間的距離(h₂)形成為小于所述抽吸流路的端部與所述基板之間的距離(h₃)。