[發(fā)明專利]一種單片微波集成電路隔離環(huán)設(shè)計(jì)以及芯片篩測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111251383.6
• 申請日: 2021-10-27
• 公開（公告）號: CN113690155B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂繼平;王測天;鄔海峰;陳長風(fēng);鐘丹;廖學(xué)介;張謙;葉珍;彭鄭;吳曦
• 申請（專利權(quán)）人: 成都嘉納海威科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/552;B07C5/344
• 代理公司: 西安正華恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61271
• 代理人: 陳選中

1.一種單片微波集成電路隔離環(huán)設(shè)計(jì)以及芯片篩測方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在單片微波集成電路芯片的Layout設(shè)計(jì)階段，為每個(gè)芯片設(shè)計(jì)隔離環(huán)；

S2、在晶圓的CP測試階段，針對晶圓中的每個(gè)芯片，測試組成芯片隔離環(huán)的每條隔離線的IV值；

S3、根據(jù)每條隔離線的IV值計(jì)算每條隔離線的電阻值；

S4、針對晶圓中的每個(gè)芯片，判斷組成芯片隔離環(huán)的所有隔離線的電阻值是否均在其對應(yīng)預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，若是則判定該芯片為正常芯片，否則判定該芯片具有隱裂紋缺陷；

S5、將判定具有隱裂紋缺陷的芯片在晶圓上做隔離標(biāo)記，劃定晶圓的隔離區(qū)域，完成單片微波集成電路芯片的篩測；

所述步驟S1中為每個(gè)芯片設(shè)計(jì)隔離環(huán)的具體方法為：在芯片上使用N條隔離線圍成一個(gè)隔離環(huán)，N≥2，每條隔離線的一端接地，其另一端設(shè)置有PAD，第N條隔離線的PAD與第一條隔離線的接地端相鄰設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片微波集成電路隔離環(huán)設(shè)計(jì)以及芯片篩測方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下分步驟：

S21、在晶圓的CP測試階段，針對晶圓中的每個(gè)芯片，將組成芯片隔離環(huán)的每條隔離線的PAD作為其Port端口；

S22、在第i條隔離線的Port端口輸入電流I_i，測量得到第i條隔離線Port端口的電壓U_i，其中i=1,2,... ,N。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單片微波集成電路隔離環(huán)設(shè)計(jì)以及芯片篩測方法，其特征在于，針對晶圓中的每個(gè)芯片，在相同Port端口輸入的電流大小相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單片微波集成電路隔離環(huán)設(shè)計(jì)以及芯片篩測方法，其特征在于，所述步驟S3具體為：根據(jù)每條隔離線的IV值I_i和U_i，計(jì)算得到每條隔離線的電阻值R_i=U_i/I_i。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單片微波集成電路隔離環(huán)設(shè)計(jì)以及芯片篩測方法，其特征在于，所述步驟S4中電阻值的對應(yīng)預(yù)設(shè)范圍為：R_lowi≤R_i≤R_highi，其中R_lowi表示第i條隔離線預(yù)設(shè)的電阻卡控門限最小值，R_highi表示第i條隔離線預(yù)設(shè)的電阻卡控門限最大值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單片微波集成電路隔離環(huán)設(shè)計(jì)以及芯片篩測方法，其特征在于，所述電阻卡控門限最小值R_lowi和電阻卡控門限最大值R_highi均通過M個(gè)芯片中的電阻值R_i得到，M為晶圓中的芯片總數(shù)。