[發明專利]分立器件的晶圓測試方法在審
| 申請號: | 202111249965.0 | 申請日: | 2021-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN114019338A | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 謝晉春;辛吉升 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26;G01R1/073 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分立 器件 測試 方法 | ||
本發明公開了一種分立器件的晶圓測試方法,包括:步驟一、芯片形成于晶圓上,在同一芯片上包括多個分立器件模塊,各分立器件模塊都具有一個以上的測試墊,根據芯片上的所有測試墊設置探針卡上的探針;步驟二、在各探針對應的測試通道上設置有開關模塊,開關模塊控制測試通道的導通或斷開;步驟三、測試時,將探針卡的探針和芯片上的所有的所述測試墊接觸,控制開關模塊選定需要測試的分立器件模塊進行測試。本發明能提高分立器件的測試效率。
技術領域
本發明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法,特別是涉及一種分立器件的晶圓測試方法。
背景技術
在半導體芯片測試領域,針對分立器件晶圓測試,一般分立器件如IGBT具有三個電極端即柵極、發射極和集電極。只要連接三端即可完成相應的項目測試。如圖1所示,是現有具有3個測試墊的分立器件的測試墊的俯視圖,圖1中的3個測試墊101,三個測試墊101還分別用G和E標出,對于IGBT,G對應的測試墊101表示柵極對應的測試墊101,兩個E對應的測試墊101為發射極對應的測試墊,而集電極為背面電極,故集電極會位于所述晶圓的背面,故不會在所述晶圓的正面設置測試墊,不需要采用探針和集電極接觸。當產品中僅具有一個IGBT并且僅具有圖1所示的3個測試墊101時,僅需要采用一個探針卡即可完成測試。
隨著市場的需求,產品的整合,分立器件的測試也變得復雜起來。比如分立器件IGBT產品晶圓中集合了電阻,二極管,溫度傳感器等,測試墊101的分布請參考圖2所示,和圖1相比,圖2中的測試墊101的數量增加了2個,2個增加的測試墊101還分別用T1和T2標出。所以,最后晶圓上芯片的Pad數量會超過2個,可能是3個,4個甚至更多。
在實際測試中,由于不同的分立器件所需要測試的項目和功能不同,故需要制作多張探卡來測試不同的項目或者功能。比如測試電阻時,需要安裝測試電阻的探針卡進行測試;測試到IGBT功能時,再換另外的探針卡進行測試??梢娺@樣測試會影響到測試效率。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種分立器件的晶圓測試方法,能提高測試效率。
為解決上述技術問題,本發明提供的分立器件的晶圓測試方法包括如下步驟:
步驟一、芯片形成于晶圓上,在同一芯片上包括多個分立器件模塊,各所述分立器件模塊都具有一個以上的測試墊,根據所述芯片上的所有所述測試墊設置探針卡上的探針,使得所述芯片上的各所述分立器件模塊的測試墊都能通過同一所述探針卡上的對應的所述探針接觸。
步驟二、所述探針卡到所述測試儀之間具有多個測試通道,在各所述探針對應的所述測試通道上設置有開關模塊,所述開關模塊控制所述測試通道的導通或斷開。
步驟三、測試時,將所述探針卡的所述探針和所述芯片上的所有的所述測試墊接觸,根據需要測試的所述分立器件模塊控制所述開關模塊,使得需要測試的所述分立器件模塊的各所述測試墊所連接的所述測試通道都導通以及將不需要測試的各所述分立器件模塊的各所述測試墊所連接的所述測試通道都斷開,之后對需要測試的所述分立器件模塊進行測試。
進一步的改進是,所述分立器件模塊包括IGBT、MOSFET、二極管、電阻或溫度傳感器。
進一步的改進是,所述IGBT包括超結IGBT。
進一步的改進是,所述MOSFET包括超結MOSFET。
進一步的改進是,所述開關模塊通過硬件實現。
進一步的改進是,所述開關模塊的控制由所述測試儀發送指令實現。
進一步的改進是,步驟三中,各所述分立器件模塊的測試通過測試程序控制。
進一步的改進是,在所述測試程序中,測試不同的功能時,采用不同功能對應的測試模塊。
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