[發明專利]分立器件的晶圓測試方法

在審

• 申請號: 202111249965.0
• 申請日: 2021-10-26
• 公開（公告）號: CN114019338A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 謝晉春;辛吉升
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/073
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種分立器件的晶圓測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、芯片形成于晶圓上，在同一芯片上包括多個分立器件模塊，各所述分立器件模塊都具有一個以上的測試墊，根據所述芯片上的所有所述測試墊設置探針卡上的探針，使得所述芯片上的各所述分立器件模塊的測試墊都能通過同一所述探針卡上的對應的所述探針接觸；

步驟二、所述探針卡到所述測試儀之間具有多個測試通道，在各所述探針對應的所述測試通道上設置有開關模塊，所述開關模塊控制所述測試通道的導通或斷開；

步驟三、測試時，將所述探針卡的所述探針和所述芯片上的所有的所述測試墊接觸，根據需要測試的所述分立器件模塊控制所述開關模塊，使得需要測試的所述分立器件模塊的各所述測試墊所連接的所述測試通道都導通以及將不需要測試的各所述分立器件模塊的各所述測試墊所連接的所述測試通道都斷開，之后對需要測試的所述分立器件模塊進行測試。

2.如權利要求1所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述分立器件模塊包括IGBT、MOSFET、二極管、電阻或溫度傳感器。

3.如權利要求2所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述IGBT包括超結IGBT。

4.如權利要求2所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述MOSFET包括超結MOSFET。

5.如權利要求1所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述開關模塊通過硬件實現。

6.如權利要求5所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述開關模塊的控制由所述測試儀發送指令實現。

7.如權利要求1所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：步驟三中，各所述分立器件模塊的測試通過測試程序控制。

8.如權利要求7所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：在所述測試程序中，測試不同的功能時，采用不同功能對應的測試模塊。

9.如權利要求2所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述IGBT的測試墊包括3個，分別為柵極、發射極和集電極對應的測試墊，所述集電極的測試墊位于所述晶圓的背面。

10.如權利要求2所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述MOSFET的測試墊包括3個，分別為柵極、源極和漏極對應的測試墊。

11.如權利要求2所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述電阻的測試墊包括2個。

12.如權利要求1所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：步驟三中，在保證所述探針卡的所述探針和所述芯片上的所有的所述測試墊接觸的條件下，通過控制所述開關模塊進行切換，實現對各所述分立器件模塊進行依次測試。

13.如權利要求1或5所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：步驟二，測試通道由探針卡通道和測試儀通道連接而成。

14.如權利要求13所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：所述開關模塊設置在所述探針卡的所述探針卡通道上。

15.如權利要求13所述的分立器件的晶圓測試方法，其特征在于：步驟二中，所述開關模塊設置連接所述探針卡通道和所述測試儀通道的接口板上。