[發明專利]一種微型發光組件

在審

• 申請號: 202111248399.1
• 申請日: 2021-10-26
• 公開（公告）號: CN113889497A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 吳政;李佳恩
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/673;H01L21/677
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234
• 代理人: 李強;楊澤奇

本發明提供一種微型發光組件，包括：基板，具有位于相反兩側的一第一板面與一第二板面；至少一微型元件，配置于所述基板的上方，且具有遠離所述基板的頂表面和相對于所述頂表面的底表面，以及連接所述頂表面周緣和底表面周緣的周圍表面；至少一擋墻，配置于所述基板的第一板面上，具有遠離所述基板的上表面，且至少部分所述擋墻的上表面高于部分所述微型元件的底表面，從俯視方向觀之，所述微型元件的周圍配置有至少一擋墻，其中，所述俯視方向為基板所在水平面的法線方向；以及至少一固定結構，配置于所述基板的第一板面上，且所述固定結構包括：至少一連接部，配置于所述基板的第一板面上并連接至所述微型元件的至少一邊緣。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種微型發光組件。

背景技術

目前微型發光二極管的轉移主要是通過靜電力或磁力等方式，將載體基板上的微型發光二極管轉板至接收基板上。一般來說，微型發光二極管會通過固定結構來固持而使微型發光二極管較容易自載體基板上拾取并運輸與轉移至接收基板上放置，且通過固定結構來鞏固微型發光二極管于轉板時不會受到其他外因而影響品質。然而，在微型元件被拾取過程中容易發生偏移的現象，從而影響微型發光二極管的運輸與轉移的良率。

發明內容

本發明提供一種微型發光組件，其可有效提升微型元件的運輸與轉移的良率。

本發明所采用的技術方案具體如下：

具體來說，本發明一實施例提供一種微型發光組件包括：基板，具有位于相反兩側的一第一板面與一第二板面；

至少一微型元件，配置于所述基板的上方，且具有遠離所述基板的頂表面和相對于所述頂表面的底表面，以及連接所述頂表面周緣和底表面周緣的周圍表面；

至少一擋墻，配置于所述基板的第一板面上，具有遠離所述基板的上表面，且至少部分所述擋墻的上表面高于部分所述微型元件的底表面，從俯視方向觀之，所述微型元件的周圍配置有至少一擋墻，其中，所述俯視方向為基板所在水平面的法線方向；以及

至少一固定結構，配置于所述基板的第一板面上，且所述固定結構包括：

至少一連接部，配置于所述基板的第一板面上并連接至所述微型元件的至少一邊緣。

在一些實施例中，從俯視方向觀之，所述擋墻連續地設置于所述微型元件的周圍。

在一些實施例中，所述連接部通過所述擋墻連接至所述基板。

在一些實施例中，從俯視方向觀之，所述連接部從微型元件的所述邊緣向外的寬度逐漸增大。

在一些實施例中，所述連接部在所述邊緣的寬度與所述邊緣的長度的比值介于0.1至0.4之間。

在一些實施例中，所述連接部的厚度介于0.5μm至1μm之間。

在一些實施例中，所述擋墻與所述微型元件之間的距離在2.0μm以下。

在一些實施例中，從俯視方向觀之，所述擋墻的厚度介于0.1μm至10.0μm之間。

在一些實施例中，所述基板定義有垂直所述第一板面的一高度方向；

至少部分所述擋墻的上表面于所述高度方向上的位置落在由所述微型元件的底表面朝其頂表面方向的厚度的50％及以下。

在一些實施例中，所述微型元件包括：

半導體外延疊層，包括第一半導體層、第二半導體層以及位于第一半導體層和第二半導體層之間的發光層；以及

所述基板定義有垂直所述第一板面的一高度方向；

至少部分所述擋墻的上表面于所述高度方向上的位置落在所述第一半導體層遠離發光層的第一表面與靠近發光層的第二表面之間。