[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111248399.1
• 申請(qǐng)日: 2021-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN113889497A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳政;李佳恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L21/673;H01L21/677
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35234
• 代理人: 李強(qiáng);楊澤奇

1.一種微型發(fā)光組件，包括：

基板，具有位于相反兩側(cè)的一第一板面與一第二板面；

至少一微型元件，配置于所述基板的上方，且具有遠(yuǎn)離所述基板的頂表面和相對(duì)于所述頂表面的底表面，以及連接所述頂表面周緣和底表面周緣的周圍表面；

至少一擋墻，配置于所述基板的第一板面上，具有遠(yuǎn)離所述基板的上表面，且至少部分所述擋墻的上表面高于部分所述微型元件的底表面，從俯視方向觀之，所述微型元件的周圍配置有至少一擋墻，其中，所述俯視方向?yàn)榛逅谒矫娴姆ň€方向；以及

至少一固定結(jié)構(gòu)，配置于所述基板的第一板面上，且所述固定結(jié)構(gòu)包括：

至少一連接部，配置于所述基板的第一板面上并連接至所述微型元件的至少一邊緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：從俯視方向觀之，所述擋墻連續(xù)地設(shè)置于所述微型元件的周圍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：所述連接部通過所述擋墻連接至所述基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：從俯視方向觀之，所述連接部從微型元件的所述邊緣向外的寬度逐漸增大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：所述連接部在所述邊緣的寬度與所述邊緣的長(zhǎng)度的比值介于0.1至0.4之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：所述連接部的厚度介于0.5μm至1μm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：所述擋墻與所述微型元件之間的距離在2.0μm以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：從俯視方向觀之，所述擋墻的厚度介于0.1μm至10.0μm之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：所述基板定義有垂直所述第一板面的一高度方向；

至少部分所述擋墻的上表面于所述高度方向上的位置落在由所述微型元件的底表面朝其頂表面方向的厚度的50％及以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于，所述微型元件包括：

半導(dǎo)體外延疊層，包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及位于第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；以及

所述基板定義有垂直所述第一板面的一高度方向；

至少部分所述擋墻的上表面于所述高度方向上的位置落在所述第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離發(fā)光層的第一表面與靠近發(fā)光層的第二表面之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：所述微型元件為包括：

第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極位于所述底表面上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于：所述微型元件與所述基板之間的垂直距離介于0.7μm至1.5μm之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光組件，其特征在于，所述固定結(jié)構(gòu)還包括：

至少一覆蓋部，從所述微型元件的所述頂表面、側(cè)面或者底面延伸至連接部。