[發(fā)明專利]一種拉制高電阻率區(qū)熔單晶硅的工藝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111243920.2 | 申請日： | 2021-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN113943973A | 公開（公告）日： | 2022-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭萬超;張偉才;馮旭;張瀚文;李聰;劉洪;李明佳 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 12105 | 代理人： | 王鳳英 |
| 地址： | 300220*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 拉制 電阻率 單晶硅 工藝 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種拉制高電阻率區(qū)熔單晶硅的工藝方法，所述工藝方法包括：多晶料對中、籽晶安裝、封爐、抽真空、通氬氣、預(yù)熱、化料引晶、拉細(xì)頸、擴(kuò)肩、轉(zhuǎn)肩、等徑保持及收尾工藝，其特征在于：在所述等徑保持工藝中增加正反轉(zhuǎn)工藝，當(dāng)熔區(qū)液面穩(wěn)定后，開啟設(shè)備的正反轉(zhuǎn)功能，設(shè)定順時針轉(zhuǎn)動的時間為10s，逆時針轉(zhuǎn)動的時間為20s，然后繼續(xù)進(jìn)行區(qū)熔單晶硅的等徑保持過程；同時所述拉制高電阻率區(qū)熔單晶硅所用多晶料為高純度Wacker多晶硅料，其電阻率高于10000 Ω·cm，雜質(zhì)含量的具體參數(shù)要求如下：C含量≤60 ppba，B含量≤40ppta，P含量≤120 ppta，As含量≤6 ppta。
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