[發(fā)明專利]一種LED燈用藍(lán)寶石晶片的打磨工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111243881.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-10-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113681378B | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐鵬飛;王文知;王巖;羅帥;季海銘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇華興激光科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B24B7/22 | 分類號(hào)： | B24B7/22;B24B41/06;B24B57/02;B24B49/00;B24B49/16;C09K3/14 |
| 代理公司： | 江蘇長德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32478 | 代理人： | 劉威威 |
| 地址： | 221300 江蘇省徐州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 藍(lán)寶石 晶片 打磨 工藝 | ||
一種LED燈用藍(lán)寶石晶片的打磨工藝，將待磨晶片縱向的固定在緊固圈內(nèi)，蒙有研磨墊的磨盤從待磨晶片的兩側(cè)以同速異向的方式打磨，并持續(xù)從頂部向打磨面添加研磨液，打磨包括粗磨和精磨，與粗磨對(duì)應(yīng)的研磨液的粒度為微米級(jí)，與精磨對(duì)應(yīng)的研磨液的粒度為納米級(jí)；取出藍(lán)寶石晶片，洗凈即可。本發(fā)明在傳統(tǒng)的打磨的基礎(chǔ)上增加精磨工藝，以無機(jī)納米粒子為研磨液的基體，以丙烯酸酯共聚物為研磨液的填料，利用納米級(jí)的球形粒子填充、滲入粗磨后的表面微孔內(nèi)，完全覆蓋微納米級(jí)的粗糙結(jié)構(gòu)，有效提高晶片表面的光滑度、平整度和潤滑性，提高晶片的表層硬度、耐磨性極高，可更長效的保持透鏡效果。通過丙烯酸酯共聚物提高晶片表層的耐潔度和疏水性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種打磨工藝，具體涉及一種LED燈用藍(lán)寶石晶片的打磨工藝。
背景技術(shù)
藍(lán)寶石的組成為氧化鋁，是由三個(gè)氧原子和兩個(gè)鋁原子以共價(jià)鍵形式結(jié)合而成，其晶體結(jié)構(gòu)為六方晶格。它常被應(yīng)用的切面有A-Plane，C-Plane及R-Plane，由于藍(lán)寶石的光學(xué)穿透帶很寬，從近紫外光（190nm）到中紅外線都具有很好的透光性，因此被大量用在光學(xué)元件、紅外裝置、高強(qiáng)度鐳射鏡片材料及光罩材料上，它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、高熔點(diǎn)等特性，它是一種相當(dāng)難加工的材料，因此常被用來作為光電元件的材料。
目前，超高亮度/藍(lán)光LED的品質(zhì)取決于氮化鎵磊晶（GaN）的材料品質(zhì)，而氮化鎵磊晶品質(zhì)則與所使用的藍(lán)寶石基板（晶片）表面加工品質(zhì)息息相關(guān)。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種LED燈用藍(lán)寶石晶片的打磨工藝。
為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案：
一種LED燈用藍(lán)寶石晶片的打磨工藝，包括以下步驟：
S1、將待磨晶片縱向的固定在緊固圈內(nèi)，
S2、蒙有研磨墊的磨盤從待磨晶片的兩側(cè)以同速異向的方式打磨，并于打磨時(shí)持續(xù)從頂部向打磨面添加研磨液，所述打磨包括第一階段的粗磨和第二階段的精磨，與粗磨對(duì)應(yīng)的研磨液的粒度為微米級(jí)，與精磨對(duì)應(yīng)的研磨液的粒度為納米級(jí)；
S3、取出藍(lán)寶石晶片，洗凈即可。
上述微米級(jí)的研磨液的粒度為1.5um。
上述納米級(jí)的研磨液的粒度為20-40nm。
上述納米級(jí)的研磨液的組份包括基體和填料：填料包括粒子為球形的納米氧化鈦、納米氧化鋅、納米氧化鋁、納米氧化硅中的至少二種；基體包括丙烯酸酯共聚物。
進(jìn)一步的，上述基體和填料的質(zhì)量比為1：（1-3）。
上述第一階段的打磨，磨盤的轉(zhuǎn)速階梯性的提速至30轉(zhuǎn)/min，提速的階梯為5轉(zhuǎn)/min，每階打磨10min，至30轉(zhuǎn)/min后打磨30min；磨盤與打磨面的壓力恒定為150-200g/cm2。
上述第二階段的打磨，磨盤的轉(zhuǎn)速階梯性的提速至50轉(zhuǎn)/min，提速的階梯為5轉(zhuǎn)/min，每階打磨10min，至50轉(zhuǎn)/min后打磨30min；磨盤與打磨面的壓力恒定為100-150g/cm2。
進(jìn)一步的，上述第二階段的打磨還包括降速打磨，即階梯性的降速至0轉(zhuǎn)/min，降速的階梯為10轉(zhuǎn)/min，每階打磨5min, 磨盤與打磨面的壓力恒定為50-100g/cm2。
上述緊固圈包括均呈半圓形的固定圈和活動(dòng)圈，其端部的銜接點(diǎn)置于所述緊固圈的傾斜的直徑上；所述固定圈固定于基座的頂端，與待磨晶片的接觸弧面設(shè)有若干導(dǎo)液孔；
所述導(dǎo)液孔通過固定圈的中空內(nèi)腔接導(dǎo)液泵的導(dǎo)液管，所述導(dǎo)液泵通過換向閥從不同的蓄液池汲取研磨液。
上述磨盤的盤面溫度為25-35度。
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