[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111242858.5
• 申請日: 2021-10-25
• 公開（公告）號: CN113838874A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉;陳鑫;朱書緯;潛垚;李澈
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041;G02F1/1362
• 代理公司: 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法，包括Array側(cè)基板玻璃，Array側(cè)基板玻璃上依次設(shè)有MetalⅠ金屬層、柵極絕緣層、有緣層、刻蝕阻擋層、MetalⅡ金屬層，MetalⅡ金屬層上沉積有第一保護(hù)層ITO，第一保護(hù)層ITO上依次設(shè)有絕緣層Ⅰ、有機(jī)平坦層、MetalⅢ觸控金屬層，有機(jī)平坦層以及MetalⅢ觸控金屬層沉積有第二保護(hù)層ITO，第二保護(hù)層ITO上依次設(shè)有帶有VA孔的絕緣層Ⅱ、公共電極層ITO、帶有CH孔的絕緣層Ⅲ以及像素電極層ITO，公共電極層ITO通過VA孔與MetalⅢ觸控金屬層搭接，像素電極層ITO通過CH孔與MetalⅡ金屬層搭接。本發(fā)明在現(xiàn)有的陣列基板設(shè)計基礎(chǔ)之上，在MetalⅡ金屬層和MetalⅢ觸控金屬層表面形成一道ITO，既可作為下層金屬的保護(hù)層，又不影響像素電極與金屬層的正常搭接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

目前市場主流的TFT-LCD設(shè)計以Mid-com In cell技術(shù)為主，這種設(shè)計方案僅需十道光罩就可以完成陣列制程，通過將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中，使屏幕變得更加輕薄化。但是目前為止，這種觸控屏技術(shù)的門檻仍然相當(dāng)高，在實際量產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)，膜層的增加也意味著制程風(fēng)險的提高，從而影響到產(chǎn)品良率的高低表現(xiàn)。

如圖1所示，現(xiàn)有的TFT陣列基板的Metal Ⅰ金屬層2、Metal Ⅱ金屬層6和Metal Ⅲ觸控金屬層10多以復(fù)合結(jié)構(gòu)的堆疊膜層為主，如Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等，中間的Al作為金屬線的實際導(dǎo)電層，兩側(cè)的Mo或Ti主要為Buffer層，起到保護(hù)中間Al不被氧化、腐蝕和降低接觸電阻等作用，并且Buffer層還對提高金屬層與無機(jī)層的界面接觸特性有一定作用。已知的無機(jī)絕緣層11主要以SiOx和SiNx為主，為了給像素充電，往往會在金屬層上方的無機(jī)層進(jìn)行開孔便于ITO與金屬的搭接。通常來說，無機(jī)層的刻蝕多為干蝕刻方式，SiOx和SiNx分別用的是CF4、SF6、O2、Cl2等混合氣體蝕刻，通?？涛g的氣體對下方的金屬表面刻蝕作用并不大，但是干蝕刻是一種兼具物理性和化學(xué)性蝕刻的技術(shù)，實際上仍然會對下方金屬表面造成損傷，損傷程度輕微一些則表現(xiàn)出為Mo或Ti表面粗糙化和出現(xiàn)倒刺，損傷程度嚴(yán)重一些則表現(xiàn)出為Buffer層Mo/Ti及部分Al被蝕刻掉，增加了ITO與金屬層之間的搭接電阻，并且大板存在阻抗不均性，影響Com電極與像素電極之間的充電效率，從而造成畫面顯示不均和不良。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列基板的制造工藝可以通過以下九次光罩完成，步驟如下：

第一步，在Array側(cè)基板玻璃1上濺射Metal Ⅰ金屬層2，通過第一次光罩形成第一金屬層圖形，隨后在第一金屬層圖形上沉淀柵極絕緣層3；

第二步，在柵極絕緣層3上沉淀有緣層4以及刻蝕阻擋層5，經(jīng)過第二次光罩形成第一絕緣層圖形；

第三步，在第一絕緣層圖形上濺射Metal Ⅱ金屬層6，通過第三次光罩形成第二金屬層圖形，隨后在第二金屬層圖形上沉淀絕緣層Ⅰ8；

第四步，在絕緣層Ⅰ8上沉淀有機(jī)平坦層9，經(jīng)過第四次光罩形成第二絕緣層圖形；

第五步，在第二絕緣層圖形上濺射Metal Ⅲ觸控金屬層10，通過第五次光罩形成第三金屬層圖形，隨后在第三金屬層圖形上沉淀絕緣層Ⅱ11；

第六步，在絕緣層Ⅱ11上通過第六次光罩形成VA孔；

第七步，在絕緣層Ⅱ11上濺射公共電極層ITO12，通過第七次光罩形成導(dǎo)電層圖形，隨后在導(dǎo)電層圖形上沉淀絕緣層Ⅲ13；

第八步，在絕緣層Ⅲ13上通過第八次光罩形成CH孔；

第九步，在絕緣層Ⅲ13上濺射像素電極層ITO14，通過第九次光罩形成氧化物導(dǎo)導(dǎo)電層圖形。

傳統(tǒng)TFT陣列基板的制造工藝通過九次光罩制造完成，會因干刻蝕而造成無機(jī)層下面金屬表面出現(xiàn)過刻的問題，使得Metal Ⅱ金屬層6出現(xiàn)被過刻的現(xiàn)象，而Metal Ⅲ觸控金屬層10也出現(xiàn)過刻的現(xiàn)象。