[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111242858.5 | 申請日： | 2021-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN113838874A | 公開（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳偉;陳鑫;朱書緯;潛垚;李澈 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 351100 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種陣列基板，包括Array側(cè)基板玻璃（1）其特征在于：所述Array側(cè)基板玻璃（1）上依次設(shè)有Metal Ⅰ金屬層（2）、柵極絕緣層（3）、有緣層（4）、刻蝕阻擋層（5）、Metal Ⅱ金屬層（6），所述Metal Ⅱ金屬層（6）上沉積有第一保護(hù)層ITO（7），所述第一保護(hù)層ITO（7）上依次設(shè)有絕緣層Ⅰ（8）、有機(jī)平坦層（9）、Metal Ⅲ觸控金屬層（10），所述有機(jī)平坦層（9）以及Metal Ⅲ觸控金屬層（10）沉積有第二保護(hù)層ITO（15），所述第二保護(hù)層ITO（15）上依次設(shè)有帶有VA孔（16）的絕緣層Ⅱ（11）、公共電極層ITO（12）、帶有CH孔（17）的絕緣層Ⅲ（13）以及像素電極層ITO（14），所述公共電極層ITO（12）通過VA孔（16）與Metal Ⅲ觸控金屬層（10）搭接，所述像素電極層ITO（14）通過CH孔（17）與Metal Ⅱ金屬層（6）搭接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于：所述Metal Ⅰ金屬層（2）為Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，所述Metal Ⅱ金屬層（6）為Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，所述Metal Ⅲ觸控金屬層（10）為Mo/Al/Mo，中間的Al作為金屬線的實際導(dǎo)電層，兩側(cè)的Mo或Ti主要為緩沖層，起到保護(hù)中間Al不被氧化、腐蝕和降低接觸電阻，并且緩沖層用于提高金屬層與無機(jī)層的界面接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陣列基板法，其特征在于：所述柵極絕緣層（3）由SiOx材料制得，所述刻蝕阻擋層（5）由SiOx材料制得，所述絕緣層Ⅰ（8）由SiOx材料制得。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于：所述有緣層（4）為TFT器件半導(dǎo)體層，且有緣層（4）為a-Si，MOx和LTPS中的一種，該有緣層（4）由IGZO材料制得。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于：所述絕緣層Ⅱ（11）由SiOx或SiNx材料制得，用于給像素充電，所述絕緣層Ⅲ（13）也由SiOx或SiNx材料制得，SiOx和SiNx分別用的是CF4、SF6、O2以及Cl2的混合氣體蝕刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陣列基板，其特征在于：所述有機(jī)平坦層（9）由有機(jī)材料制得。
7.一種權(quán)利要求1-6任意一項所述的陣列基板的制造方法，體特征在于：包括如下步驟：
步驟1：在Array側(cè)基板玻璃（1）上濺射Metal Ⅰ金屬層（2），通過光罩形成第一金屬層圖形，隨后在第一金屬層圖形上沉淀柵極絕緣層（3）；在柵極絕緣層（3）上沉淀有緣層（4）以及刻蝕阻擋層（5），經(jīng)過光罩形成絕緣層圖形，絕緣層圖形上濺射Metal Ⅱ金屬層（6），再次通過光罩形成第二金屬層圖形；
步驟2：在Metal Ⅱ金屬層（6）上采用PVD方法沉積一層第一保護(hù)層ITO （7）；
步驟3：在第一保護(hù)層ITO（7）上進(jìn)行光罩，對第一保護(hù)層ITO（7）進(jìn)行曝光/顯影等制程，經(jīng)顯影制程之后，在所需pattern處的ITO處留下光阻PR；
步驟4：在步驟3的基礎(chǔ)上，進(jìn)行濕蝕刻制程，蝕刻液選擇的是草酸，其酸性比Al酸弱，僅蝕刻未被光阻PR保護(hù)的底部ITO；
步驟5：在步驟4的基礎(chǔ)上，進(jìn)行剝膜制程，采用DMSO：MEA混合的無色剝膜液體對光阻進(jìn)行剝膜洗凈，留下所需的第一保護(hù)層ITO（7）；
步驟6：在步驟5形成的第一保護(hù)層ITO（7）上沉淀形成絕緣層Ⅰ（8）和有機(jī)平坦層（9），經(jīng)過光罩形成絕緣層圖形；
步驟7：在步驟6的形成絕緣層圖形上濺射Metal Ⅲ觸控金屬層10，通過光罩形成第三金屬層圖形；
步驟8：在有機(jī)平坦層（9）和Metal Ⅲ觸控金屬層（10）上采用PVD方法沉積一層第二保護(hù)層ITO（15）；
步驟9：在第二保護(hù)層ITO（15）上進(jìn)行光罩，對第二保護(hù)層ITO（15）進(jìn)行曝光/顯影等制程，經(jīng)顯影制程之后，在所需pattern處的ITO處留下光阻PR；
步驟10：在步驟9的基礎(chǔ)上，進(jìn)行濕蝕刻制程，蝕刻液選擇的是草酸，其酸性遠(yuǎn)較Al酸弱，僅蝕刻未被光阻PR保護(hù)的底部ITO；
步驟11：在步驟10的基礎(chǔ)上，進(jìn)行剝膜制程，采用DMSO：MEA混合的無色剝膜液體對光阻進(jìn)行剝膜洗凈，留下所需的第二保護(hù)層ITO（15）；
步驟12：在第二保護(hù)層ITO（15）上沉淀形成絕緣層Ⅱ（11），并在絕緣層Ⅱ11上通過光罩形成VA孔（16）；
步驟13：在絕緣層Ⅱ（11）上濺射公共電極層ITO（12），并通過VA孔（16）與Metal Ⅲ觸控金屬層（10）搭接；
步驟14：在公共電極層ITO（12）上沉淀形成絕緣層Ⅲ（13），并在絕緣層Ⅲ1（13）上通過光罩形成CH孔（17）；
步驟15：在絕緣層Ⅲ（13）上濺射形成像素電極層ITO（14），并通過CH孔（17）與Metal Ⅱ金屬層（6）搭接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
