[發明專利]集成電路器件

在審

• 申請號: 202111211674.2
• 申請日: 2021-10-18
• 公開（公告）號: CN114628491A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 崔珉姬;鄭谞珍;金錫勛;金正澤;樸判貴;梁炆承;河龍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/088;B82Y40/00
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

一種集成電路器件包括：鰭型有源區，位于襯底上；至少一個納米片，具有面對鰭頂的底表面；柵極線，位于所述鰭型有源區上；以及源極/漏極區，位于所述鰭型有源區上，與所述柵極線相鄰，并且與所述至少一個納米片接觸，其中，所述源極/漏極區包括下主體層和上主體層，所述下主體層的頂表面包括下刻面，所述下刻面在其在從所述至少一個納米片到所述源極/漏極區的中心的方向上延伸時朝向所述襯底下降的，并且所述上主體層包括與所述下刻面接觸的底表面和具有上刻面的頂表面。對于垂直截面，所述下刻面沿著相應的第一線延伸，所述上刻面沿著與所述第一線相交的第二線延伸。

相關申請的交叉引用

本申請基于并要求于2020年12月11日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2020-0173677的優先權，通過引用將其公開內容全部并入本文。

技術領域

本發明構思涉及集成電路器件，并且更具體地，涉及包括場效應晶體管的集成電路器件。

背景技術

隨著集成電路器件的小型化的快速發展，有必要確保集成電路器件操作的準確性及其快速操作速度。隨著集成電路器件的集成密度的增加及其尺寸的減小，需要開發一種新的結構來提高納米片場效應晶體管的性能和可靠性。

發明內容

本發明構思提供了一種用于減小納米片場效應晶體管的源極/漏極區的接觸電阻并改善其電特性的分布的集成電路器件。

根據本發明構思的一方面，提供了一種集成電路器件，其包括：鰭型有源區，位于襯底上，并且在第一水平方向上延伸；至少一個納米片，在垂直方向上與所述鰭型有源區的鰭頂分開，并且具有面對所述鰭型有源區的所述鰭頂的底表面；柵極線，位于所述鰭型有源區上，圍繞所述至少一個納米片，并且在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；以及源極/漏極區，位于所述鰭型有源區上，與所述柵極線相鄰，并且與所述至少一個納米片接觸，其中，所述源極/漏極區包括下主體層和上主體層，所述下主體層和所述上主體層在所述垂直方向上順序地堆疊在所述鰭型有源區上，其中，所述下主體層的頂表面包括下刻面，所述下刻面在其從所述至少一個納米片到所述源極/漏極區的中心的方向上延伸時朝向所述襯底下降，其中，所述上主體層包括與所述下主體層的所述頂表面的所述下刻面接觸的底表面和具有上刻面的頂表面，其中，對于垂直截面，所述下刻面沿著第一線延伸，所述上刻面沿著第二線延伸，并且其中，所述第一線和所述第二線彼此相交。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種集成電路器件，其包括：鰭型有源區，位于襯底上并且在第一水平方向上伸長；凹陷，形成在所述鰭型有源區中；成對的納米片堆疊件，位于所述鰭型有源區的鰭頂上，并且在所述第一水平方向上彼此分開，所述凹陷位于所述成對的納米片堆疊件之間；以及成對的柵極線，位于所述鰭型有源區上，每一條所述柵極線圍繞所述成對的納米片堆疊件中的相應的一個納米片堆疊件，并且在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；以及源極/漏極區，位于所述凹陷中，并且與所述成對的納米片堆疊件中的每一個納米片堆疊件接觸，其中，所述源極/漏極區包括下主體層和上主體層，所述下主體層和所述上主體層在垂直方向上順序地堆疊在所述凹陷中，其中，所述下主體層的頂表面包括成對的下刻面，每個所述下刻面在其從所述成對的納米片堆疊件中的一個納米片堆疊件到所述源極/漏極區的中心的方向上延伸時朝向所述襯底下降，其中，所述上主體層包括與所述成對的下刻面接觸的底表面和具有上刻面的頂表面，其中，對于垂直截面，每個所述下刻面沿著相應的第一線延伸，所述上刻面沿著第二線延伸，并且其中，每一條所述第一線和所述第二線彼此相交。