[發明專利]集成電路器件

在審

• 申請號: 202111211674.2
• 申請日: 2021-10-18
• 公開（公告）號: CN114628491A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 崔珉姬;鄭谞珍;金錫勛;金正澤;樸判貴;梁炆承;河龍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/088;B82Y40/00
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種集成電路器件，所述集成電路器件包括：

鰭型有源區，所述鰭型有源區位于襯底上，并且在第一水平方向上延伸；

至少一個納米片，所述至少一個納米片在垂直方向上與所述鰭型有源區的鰭頂分開，并且具有面對所述鰭型有源區的所述鰭頂的底表面；

柵極線，所述柵極線位于所述鰭型有源區上，圍繞所述至少一個納米片，并且在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；以及

源極/漏極區，所述源極/漏極區位于所述鰭型有源區上，與所述柵極線相鄰，并且與所述至少一個納米片接觸，

其中，所述源極/漏極區包括下主體層和上主體層，所述下主體層和所述上主體層在所述垂直方向上順序地堆疊在所述鰭型有源區上，

其中，所述下主體層的頂表面包括下刻面，所述下刻面在其在從所述至少一個納米片到所述源極/漏極區的中心的方向上延伸時朝向所述襯底下降，

其中，所述上主體層包括與所述下主體層的所述頂表面的所述下刻面接觸的底表面和具有上刻面的頂表面，

其中，對于垂直截面，所述下刻面沿著第一線延伸，所述上刻面沿著第二線延伸，并且

其中，所述第一線和所述第二線彼此相交。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述下主體層的所述頂表面的所述下刻面具有{111}表面取向，并且所述上主體層的所述頂表面的所述上刻面具有{100}表面取向。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述下主體層的所述頂表面的所述下刻面和所述上主體層的所述頂表面的所述上刻面均具有{111}表面取向。

4.根據權利要求1所述的集成電路器件，所述集成電路器件還包括位于所述至少一個納米片上方的外絕緣間隔物，所述外絕緣間隔物覆蓋所述柵極線的側壁，并且具有與所述源極/漏極區接觸的第一表面，

其中，對于所述垂直截面，所述外絕緣間隔物的所述第一表面的延伸方向與所述上主體層的所述頂表面的所述上刻面的延伸方向之間的角度為大約90度。

5.根據權利要求1所述的集成電路器件，所述集成電路器件還包括位于所述至少一個納米片上方的外絕緣間隔物，所述外絕緣間隔物覆蓋所述柵極線的側壁，并且具有與所述源極/漏極區接觸的第一表面，

其中，對于所述垂直截面，所述外絕緣間隔物的所述第一表面的延伸方向與所述上主體層的所述頂表面的所述上刻面的延伸方向之間的角度為54度至55度。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

所述下主體層包括第一下主體層和第二下主體層，所述第一下主體層和所述第二下主體層在所述垂直方向上順序地堆疊在所述鰭型有源區上，

所述第一下主體層包括第一下刻面和第一非線性頂表面，所述第一下刻面與所述上主體層接觸，并且所述第一非線性頂表面與所述第二下主體層接觸，

所述第二下主體層包括第二下刻面和第二非線性頂表面，所述第二下刻面與所述上主體層接觸，并且所述第二非線性頂表面與所述上主體層接觸，并且

所述第一下刻面和所述第二下刻面在第一平面內延伸。

7.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

所述下主體層包括第一下主體層和第二下主體層，所述第一下主體層和所述第二下主體層在所述垂直方向上順序地堆疊在所述鰭型有源區上，并且

所述第一下主體層和所述第二下主體層均包括與所述上主體層接觸并具有{111}表面取向的相應的刻面。

8.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

所述上主體層包括第一上主體層和第二上主體層，所述第一上主體層和所述第二上主體層在所述垂直方向上順序地堆疊在所述下主體層上，

所述第一上主體層的頂表面具有第一刻面，所述第一刻面具有{100}表面取向，

所述第二上主體層的頂表面具有第二刻面，所述第二刻面具有{100}表面取向和{111}表面取向之一，并且

所述第二上主體層的底表面與所述下刻面和所述第一刻面接觸。