[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202111197901.0
• 申請日: 2021-10-14
• 公開（公告）號: CN114944364A
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 張喆淳;金想起;鄭一根;韓正勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

提供了半導體器件及其制造方法。所述半導體器件可以包括半導體襯底、裂紋阻擋層和裂紋阻擋部分。所述半導體襯底可以包括多個芯片區域和被構造為圍繞所述多個芯片區域中的每個芯片區域的劃線道區域。溝槽可以由所述半導體器件的一個或更多個內表面限定，以形成在所述劃線道區域中。所述裂紋阻擋層可以位于所述溝槽的內表面上。所述裂紋阻擋層可以被構造為阻擋在沿著所述劃線道區域切割所述半導體襯底期間在所述劃線道區域中產生的裂紋擴展到任何所述芯片區域中。所述裂紋阻擋部分可以至少部分地填充所述溝槽，并可以被構造為阻擋所述裂紋從所述劃線道區域擴展到任何所述芯片區域中。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2021年2月15日在韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2021-0019700的優先權，該韓國專利申請的內容以引用方式全文并入本文中。

技術領域

示例實施例涉及半導體器件及其制造方法。更具體地，一些示例實施例涉及包括其中可以布置有多個半導體芯片的芯片區域和被構造為將芯片區域彼此分開的劃線道(scribe lane)區域的半導體器件和制造半導體器件的方法。

背景技術

通常，形成在半導體襯底上的多個半導體芯片可以由劃線道區域分隔。可以沿著劃線道區域切割半導體襯底，以將半導體芯片單分(例如，分離)成獨立的半導體芯片。

根據相關技術，在切割工藝期間在劃線道區域中產生的裂紋可能擴展到半導體芯片中。裂紋會造成半導體芯片錯誤。

發明內容

一些示例實施例提供了可以能夠抑制在切割半導體襯底時產生的裂紋擴展到半導體芯片中的半導體器件。

一些示例實施例提供了制造以上提到的半導體器件的方法。

根據一些示例實施例，一種半導體器件可以包括半導體襯底、壩結構、電介質層、絕緣中間層、導電圖案和感光絕緣層。所述半導體襯底可以包括多個芯片區域和被構造為圍繞所述多個芯片區域中的每個芯片區域的劃線道區域。所述壩結構可以位于所述半導體襯底的所述劃線道區域中。所述電介質層可以位于所述半導體襯底的上表面上。所述絕緣中間層可以位于所述電介質層的上表面上。所述導電圖案可以位于所述絕緣中間層的上表面上。所述感光絕緣層可以位于所述導電圖案的上表面上。所述半導體器件的一個或更多個內表面可以限定溝槽，所述溝槽在所述劃線道區域中延伸穿過所述絕緣中間層和所述電介質層，以暴露所述壩結構。所述半導體器件還可以包括可以連接到所述壩結構的裂紋阻擋層，所述裂紋阻擋層位于所述溝槽的底表面和內側表面的至少一部分上。所述裂紋阻擋層可以被構造為阻擋在沿著所述劃線道區域切割所述半導體襯底期間在所述劃線道區域中產生的裂紋擴展到任何所述芯片區域中。所述感光絕緣層可以包括至少部分地填充所述溝槽的裂紋阻擋部分，所述裂紋阻擋部分被構造為阻擋所述裂紋從所述劃線道區域擴展到任何所述芯片區域中。

根據一些示例實施例，一種半導體器件可以包括半導體襯底、裂紋阻擋層和裂紋阻擋部分。所述半導體襯底可以包括多個芯片區域和被構造為圍繞所述多個芯片區域中的每個芯片區域的劃線道區域。所述半導體器件的一個或更多個內表面可以在所述劃線道區域中限定溝槽。所述裂紋阻擋層可以形成在所述溝槽的內表面上。所述裂紋阻擋層可以被構造為阻擋在沿著所述劃線道區域切割所述半導體襯底期間在所述劃線道區域中產生的裂紋擴展到任何所述芯片區域中。所述裂紋阻擋部分可以至少部分地填充所述溝槽，所述裂紋阻擋部分被構造為阻擋所述裂紋從所述劃線道區域擴展到任何所述芯片區域中。