[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202111197901.0
• 申請日: 2021-10-14
• 公開（公告）號: CN114944364A
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 張喆淳;金想起;鄭一根;韓正勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括多個芯片區域和被構造為單獨地圍繞每個所述芯片區域的劃線道區域；

壩結構，所述壩結構位于所述半導體襯底的所述劃線道區域中；

電介質層，所述電介質層位于所述半導體襯底的上表面上；

絕緣中間層，所述絕緣中間層位于所述電介質層的上表面上；

導電圖案，所述導電圖案位于所述絕緣中間層的上表面上；以及

感光絕緣層，所述感光絕緣層位于所述導電圖案的上表面上，

其中，所述半導體器件的一個或更多個內表面限定溝槽，所述溝槽在所述劃線道區域中延伸穿過所述絕緣中間層和所述電介質層，以暴露所述壩結構，

其中，所述半導體器件還包括連接到所述壩結構的裂紋阻擋層，所述裂紋阻擋層位于所述溝槽的底表面和內側表面的至少一部分上，所述裂紋阻擋層被構造為阻擋在沿著所述劃線道區域切割所述半導體襯底期間在所述劃線道區域中產生的裂紋擴展到任何所述芯片區域中，

其中，所述感光絕緣層包括至少部分地填充所述溝槽的裂紋阻擋部分，所述裂紋阻擋部分被構造為阻擋所述裂紋從所述劃線道區域擴展到任何所述芯片區域中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝槽被構造為圍繞一個或更多個所述芯片區域的相鄰的角部。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝槽被構造為完全圍繞一個或更多個所述芯片區域。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝槽具有上端的上寬度和下端的下寬度，所述下寬度比所述上寬度窄。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述溝槽具有從所述下端向所述上端逐漸增大的寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝槽的寬度為所述劃線道區域的寬度的2.5/30倍至3.5/30倍。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述裂紋阻擋層包括被隔離成不與所述導電圖案直接接觸的上端，使得所述裂紋阻擋層暴露所述溝槽的所述內側表面的上部。

8.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括多個芯片區域和被構造為單獨地圍繞每個所述芯片區域的劃線道區域；

其中，所述半導體器件的一個或更多個內表面在所述劃線道區域中限定溝槽；

其中，所述半導體器件還包括位于所述溝槽中的裂紋阻擋層，所述裂紋阻擋層被構造為阻擋在沿著所述劃線道區域切割所述半導體襯底期間在所述劃線道區域中產生的裂紋擴展到所述芯片區域中，并且

其中，所述半導體器件還包括至少部分地填充所述溝槽的裂紋阻擋部分，所述裂紋阻擋部分被構造為阻擋所述裂紋從所述劃線道區域擴展到任何所述芯片區域中。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述溝槽被構造為圍繞一個或更多個所述芯片區域的相鄰的角部。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述溝槽被構造為完全圍繞一個或更多個所述芯片區域。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：

壩結構，所述壩結構位于所述半導體襯底的所述劃線道區域中；

電介質層，所述電介質層位于所述半導體襯底的上表面上；

絕緣中間層，所述絕緣中間層位于所述電介質層的上表面上；

導電圖案，所述導電圖案位于所述絕緣中間層的上表面上；以及

感光絕緣層，所述感光絕緣層位于所述導電圖案的上表面上。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述溝槽延伸穿過所述絕緣中間層和所述電介質層，以暴露所述壩結構。