[發明專利]基于體積分布系數的絕緣子上下表面不均勻積污分析方法在審
| 申請號： | 202111195114.2 | 申請日： | 2021-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN113947040A | 公開（公告）日： | 2022-01-18 |
| 發明（設計）人： | 張志勁;王繼來;蔣興良;王強;喬新涵;李景坤;胡建林;林志海;胡琴 | 申請（專利權）人： | 中鐵第一勘察設計院集團有限公司;重慶大學 |
| 主分類號： | G06F30/28 | 分類號： | G06F30/28;G06F113/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129 | 代理人： | 胡博文 |
| 地址： | 710043*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 體積 分布 系數 絕緣子 上下 表面 不均勻 分析 方法 | ||
1.一種基于體積分布系數的絕緣子上下表面不均勻積污分析方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1.采集目標輸電線路的絕緣子的積污參數并對積污參數進行預處理，積污參數包括污穢顆粒濃度、顆粒粒徑以及風速；
S2.將預處理后的積污參數輸入到流體力學計算軟件中，確定出目標輸電線路的絕緣子的上表面污穢顆粒分布體積分數vus和下表面污穢顆粒分布體積分數vls；
S3.根據絕緣子的上表面污穢顆粒分布體積分數vus和下表面污穢顆粒分布體積分數vls確定出目標絕緣子的上表面和下表面在第i個時刻的不均勻度ki；
S4.根據第i個時刻的不均勻度ki確定出目標絕緣子在設定積污期的污穢不均度k。
2.根據權利要求1所述基于體積分布系數的絕緣子上下表面不均勻積污分析方法，其特征在于：步驟S3中，根據如下方法確定第i個時刻的不均勻度ki：
其中，vusi為第i個時刻的絕緣子上表面污穢顆粒分布體積分數；vlsi為第i個時刻的絕緣子下表面污穢顆粒分布體積分數。
3.根據權利要求2所述基于體積分布系數的絕緣子上下表面不均勻積污分析方法，其特征在于：步驟S4中，通過如下方法確定目標絕緣子在設定積污期的污穢不均度k：
其中，s1為目標絕緣子上表面積，s2為目標絕緣子下表面積，n為設定積污期劃分的n個時刻。
4.根據權利要求1所述基于體積分布系數的絕緣子上下表面不均勻積污分析方法，其特征在于：步驟S1中，通過如下方法對積污參數進行預處理：
找出同一類別積污參數的最大值和最小值，并求出該類別積污參數極差；
將極差輸入到Excel的ROUNDUP函數中得出同一類別積污參數的分組情況；
采用最大似然估計算法計算不同分組數據的概率分布值，并得出該類別的積污參數單位時間內50％概率分布值。
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