[發明專利]一種高分子材料鍍膜工藝

在審

• 申請號: 202111194214.3
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN114000104A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市恒鼎新材料有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/10;C23C14/08;C08J7/06
• 代理公司: 北京沁優知識產權代理有限公司 11684
• 代理人: 金慧玲

1.一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：包括鍍氮氧化硅膜層步驟，在待加工件表面鍍氮氧化硅膜層作為后續鍍膜層的打底層。

2.根據權利要求1所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：所述鍍氮氧化硅膜層步驟包括如下子步驟：

A1、向鍍膜腔室中通入氬氣和氮氣的混合氣體，氬氣：氮氣為1:8-3:1；

A2、調整真空度為0.1-1.33Pa；

A3、打開硅靶電源對待加工件進行鍍膜，鍍膜的膜層厚度為2nm-200nm，此膜層作為氮氧化硅膜層與待加工件高分子材料層的界面結合層。

3.根據權利要求1所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：所述氮氧化硅膜層中，所述鍍氮氧化硅膜層步驟包括如下子步驟：

A1’、向鍍膜腔室中通入氬氣、氧氣和氮氣，氧和氮的原子數比例范圍為1:20-1:1；

A2’、調整真空度為0.1-1.33Pa；

A3’、打開硅靶電源對待加工件進行鍍膜，鍍膜的膜層厚度為2nm-200nm，此膜層作為氮氧化硅膜層與待加工件高分子材料層的界面結合層。

4.根據權利要求2或3所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：包括鍍氮氧化硅膜層步驟后的鍍光學膜層步驟，鍍光學膜層步驟包括鍍低折射率膜層子步驟和鍍高折射率膜層子步驟，所述第折射率子步驟包括如下步驟：

B1、向鍍膜腔室中通入氬氣和氮氣的混合氣體，氬氣：氮氣為1:8-3:1；

B2、打開硅靶電源對待加工件進行鍍膜，鍍膜的膜層厚度為10nm-200nm氧化硅膜層，此氧化硅膜層膜層作為光學膜層中的低折射率膜層。

5.根據權利要求4所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：所述鍍高折射率膜層包括如下步驟：

C1、向鍍膜腔室中通入氬氣和氮氣的混合氣體，氬氣：氮氣為1:8-3:1；

C2、打開高折射率靶材料靶電源對待加工件進行鍍膜，鍍膜的膜層為厚度10nm-200nm的金屬氧化物膜層，此金屬氧化物膜層作為光學膜層中的高折射率膜層。

6.根據權利要求4所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：所述鍍高折射率膜層包括如下步驟：

D1、向鍍膜腔室中通入氬氣和氮氣的混合氣體，氬氣：氮氣為1:8-3:1；

D2、調整真空度為0.1-1.33Pa；

D3、打開硅靶電源對待加工件進行鍍膜，鍍膜的膜層厚度為2nm-200nm的氮化硅膜層，此氮化硅膜層作為光學膜層中的高折射率膜層。

7.根據權利要求5或6所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：所述鍍光學膜層步驟包括多次循環的鍍低折射率膜層子步驟和鍍高折射率膜層子步驟，循環間隔包括抽真空子步驟，抽真空子步驟調整真空度為5.0×10-3——6.0×10-3Pa。

8.根據權利要求7所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：包括清洗干燥步驟、抽真空步驟、轟擊步驟、鍍氮氧化硅膜層步驟、鍍光學膜層步驟和鍍保護層步驟；

清洗干燥步驟：待加工件使用流動水清洗、潤濕，采用除油劑進行超聲波清洗；超聲波清洗待加工件放入除油劑中，在40-80℃溫度下浸泡；接著將待加工件放置在40-80℃溫度的熱水中漂洗；將待加工件轉移到DI水中進行清洗，溫度為40-80℃，DI水阻率小于18MΩ·cm；

抽真空步驟：調整真空度為9.0×10-3—6.0×10-7Pa；

轟擊步驟：對待加工件施加不小于0.5kv的電壓，沖入30-900sccm氬氣，真空度為0.5-5pa，對待加工件表面進行粒子轟擊處理，轟擊時間為2-120min；

重復抽真空步驟和紅及步驟2-20個循環。

9.根據權利要求8所述的一種高分子材料鍍膜工藝，其特征在于：所述除油劑直鏈烷基苯磺酸鈉(LAS)、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉(AES)、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸銨(AESA)、月桂醇硫酸鈉(SDS)、月桂酰谷氨酸、壬基酚聚氧乙烯醚(TX-10)、平平加O、硬脂酸甘油單酯、木質素磺酸鹽、重烷基苯磺酸鹽、烷基磺酸鹽(石油磺酸鹽)、擴散劑NNO、擴散劑MF、烷基聚醚(PO-EO共聚物)、脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-3)等，除油劑質量比在2％-35％之間，溫度控制在40-80℃之間。