[發(fā)明專利]一種套刻誤差的測量計(jì)算方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111191680.6
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN113917802A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁俊春;邵康鵬;陳海平;楊慎知;劉慧斌
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州廣立微電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 江蘇坤象律師事務(wù)所 32393
• 代理人: 趙新民

1.一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：包括：

步驟S1.按預(yù)置偏離量設(shè)計(jì)第一光罩和第二光罩，所述預(yù)置偏移量包括零偏移、相對零偏移按預(yù)置偏移步長變化的若干正偏移量和若干負(fù)偏移量；通過所述第一光罩和所述第二光罩制作測試鏈；

步驟S2.獲取N條對應(yīng)不同的所述預(yù)置偏移量的測試鏈，N≥3，為整數(shù)；

步驟S3.測量所述N條測試鏈的電性參數(shù)，以得到的電性參數(shù)與對應(yīng)的所述預(yù)置偏移量作為一組參考數(shù)據(jù)；

步驟S4.對除零偏移以外的每組所述參考數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，獲得N-1個(gè)套刻誤差值；基于所述N-1個(gè)套刻誤差值計(jì)算得到所述第一光罩和所述第二光罩的套刻誤差值；

其中，所述測試鏈包括分別位于相鄰兩層電介質(zhì)層中的至少一個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、以及將所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接的至少一個(gè)連接結(jié)構(gòu)；所述連接結(jié)構(gòu)完全連接所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，沒有偏移；

所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)由所述第一光罩制成，所述連接結(jié)構(gòu)由所述第二光罩制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述步驟S2中，獲取所述N條測試鏈包括將所述第一光罩和所述第二光罩制成的相同偏移量的測試鏈并聯(lián)作為一條測試鏈；所述步驟S3中測量的電性參數(shù)為電阻值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述正偏移量和所述負(fù)偏移量的取值范圍根據(jù)不同節(jié)點(diǎn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述取值范圍相同，且基于所述正偏離量得到的所述測試鏈數(shù)量等于基于所述負(fù)偏移量得到的所述測試鏈數(shù)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：基于所述正偏離量得到的所述測試鏈中的連接結(jié)構(gòu)與基于所述負(fù)偏移量得到的所述測試鏈的連接結(jié)構(gòu)關(guān)于基于所述零偏移得到的所述測試鏈的連接結(jié)構(gòu)軸對稱。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述預(yù)置偏移步長的大小的設(shè)定是與偏移對所述測試鏈的電性參數(shù)影響大小負(fù)相關(guān)的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述步驟S3中測量電性參數(shù)后還去除異常點(diǎn)，包括：取測量結(jié)果的最大值與最小值的平均值記為；將所述測量結(jié)果中大于的值作為異常點(diǎn)去除后，作為所述得到的電性參數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述步驟S3中，對應(yīng)的所述預(yù)置偏移量包括所述正偏移量或所述負(fù)偏移量。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述基于所述N-1個(gè)套刻誤差值計(jì)算得到所述第一光罩和所述第二光罩的套刻誤差值包括：

根據(jù)工藝節(jié)點(diǎn)預(yù)設(shè)基準(zhǔn)值；將一個(gè)套刻誤差值記為a_m，基于a_m計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)差，記為σ_m，遍歷m，1≤m≤N-1；

將獲取所述標(biāo)準(zhǔn)差中大于所述基準(zhǔn)值的σ_m所對應(yīng)的a_m去除，取所保留的若干套刻誤差值的中值或平均值作為所述第一光罩和所述第二光罩的套刻誤差值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的一種套刻誤差的測量計(jì)算方法，其特征在于：所述步驟S4中，獲取N-1個(gè)套刻誤差值包括：

步驟S41.采用直角坐標(biāo)系，確定零偏移的位置為原點(diǎn)；

步驟S42.選取對應(yīng)的所述預(yù)置偏移量為X_i的一組所述參考數(shù)據(jù)，記為坐標(biāo)點(diǎn)（X_i，Rx_i），2≤i≤N；從坐標(biāo)點(diǎn)（X_i，Rx_i）向所述原點(diǎn)作平行于x軸的直線，記為L_x；選取對應(yīng)的所述預(yù)置偏移量背離X_i變化的X_i-1和X_i-2所對應(yīng)的所述參考數(shù)據(jù)，分別記為坐標(biāo)點(diǎn)（X_i-1，Rx_i-1）和（X_i-2，Rx_i-2），連接坐標(biāo)點(diǎn)（X_i-1，Rx_i-1）和（X_i-2，Rx_i-2）作直線與直線L_x相交，交點(diǎn)對應(yīng)的x軸坐標(biāo)為X_j；計(jì)算對應(yīng)的所述預(yù)置偏移量為X_i的所述測試鏈的套刻誤差Vx_i，；

步驟S43.遍歷i，獲得所述N-1個(gè)套刻誤差值。